[發明專利]一種自供能氣體傳感器及其制備方法有效
| 申請號： | 201710492171.4 | 申請日： | 2017-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN107132248B | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發明（設計）人： | 楊亞杰;何鑫;毛喜玲;周榆久;楊文耀;趙月濤;徐建華;太惠玲 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00;H01L37/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 銀納米線薄膜 自供能傳感器 多孔導電 功能薄膜 聚合物 傳感器技術領域 熱釋電薄膜材料 發明制備工藝 能量采集單元 柔性電子器件 氣體傳感器 熱釋電薄膜 成膜工藝 多孔基片 發明器件 高度集成 敏感單元 能量采集 器件結構 氣敏單元 氣敏信號 靈敏度 相容性 自供能 成膜 可控 匹配 協同 應用 | ||
1.一種自供能氣體傳感器，其特征在于，其結構由下至上依次層疊的包括：多孔基片、第一銀納米線薄膜、P型多孔導電聚合物、多孔熱釋電薄膜、N型多孔導電聚合物和第二銀納米線薄膜；所述多孔熱釋電薄膜的材料為聚偏二氟乙烯或者偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物。
2.根據權利要求1所述的一種自供能氣體傳感器，其特征在于，多孔基片的材料為多孔柔性氧化銦錫。
3.根據權利要求1所述的一種自供能氣體傳感器，其特征在于，多孔基片的厚度不大于0.5毫米。
4.根據權利要求1所述的一種自供能氣體傳感器，其特征在于，多孔基片的孔徑大小不大于100納米。
5.根據權利要求1所述的一種自供能氣體傳感器，其特征在于，多孔導電聚合物的材料為聚噻吩或其衍生物。
6.一種自供能氣體傳感器的制備方法，其特征在于，在多孔基片上制備銀納米線薄膜；在銀納米線薄膜上制備多孔導電聚合物薄膜；再采用電摻雜的方法制得P型摻雜態的多孔導電聚合物薄膜；在P型摻雜態的多孔導電聚合物薄膜上制備多孔熱釋電薄膜；然后在多孔熱釋電薄膜上制備多孔導電聚合物薄膜；再采用電摻雜的方法制得N型摻雜態的多孔導電聚合物薄膜；在N型摻雜態的多孔導電聚合物薄膜上制備銀納米線薄膜；最終制得多層膜結構的自供能氣體傳感器。
7.根據權利要求6所述的一種自供能氣體傳感器的制備方法，其特征在于，多孔基片的材料為多孔柔性氧化銦錫。
8.根據權利要求6所述的一種自供能氣體傳感器的制備方法，其特征在于，銀納米線薄膜采用自組裝法、LB膜法或者旋涂法制備。
9.根據權利要求6所述的一種自供能氣體傳感器的制備方法，其特征在于，多孔導電聚合物薄膜采用原位沉積法制備，多孔導電聚合物的材料為聚噻吩及其衍生物。
10.根據權利要求6所述的一種自供能氣體傳感器的制備方法，多孔熱釋電薄膜采用旋涂法或者流延法制備。
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