[發明專利]圓片級激光器封裝結構及制造方法

在審

• 申請號: 201710489113.6
• 申請日: 2017-06-24
• 公開（公告）號: CN107181165A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 明雪飛;李守委
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022
• 代理公司: 總裝工程兵科研一所專利服務中心32002
• 代理人: 楊立秋

1.一種圓片級激光器封裝結構，其特征在于，所述圓片級激光器封裝結構包括管座以及位于所述管座上方的管帽組件，所述管座靠近所述管帽組件的上表面形成有至少一個用于承載芯片的凹槽，所述上表面的非凹槽區域用于承載預定的非芯片器件，所述芯片和所述非芯片器件通過引線鍵合的方式進行連接，所述引線連接至從所述管座的上表面貫穿至所述管座的下表面的導電柱體的上端，以與所述導電柱體的下端設置的焊球電性連接。

2.根據權利要求1所述的圓片級激光器封裝結構，其特征在于，所述管帽組件包括位于中間區域的透鏡以及位于所述透鏡外圍的管帽，所述管帽用于支撐所述透鏡，所述管帽的高度與所述透鏡的焦距相關。

3.根據權利要求2所述的圓片級激光器封裝結構，其特征在于，所述透鏡采用透光材料。

4.根據權利要求2所述的圓片級激光器封裝結構，其特征在于，所述導電柱體為至少兩個，每個導電柱體底端均設置有焊盤，每個焊盤上焊接有焊球。

5.根據權利要求1至4中任一所述的圓片級激光器封裝結構，其特征在于，所述凹槽的數量為至少兩個，所述芯片至少包括發光芯片和功率調節芯片，其中一個凹槽用于承載所述發光芯片，另一個凹槽用于承載所述功率調節芯片；所述非芯片器件包括電熱調節器、熱敏電阻和轉接板中的至少一種。

6.一種圓片級激光器封裝結構的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在載體圓片的上表面進行處理形成凹槽，對所述載體圓片進行處理形成從所述載體圓片上表面至下表面貫穿的通孔，在所述通孔內填充導電材料，形成導電柱體；

采用預定粘貼方式將芯片粘貼至對應凹槽底部，將非芯片器件粘貼至所述載體圓片上表面非凹槽區域的對應位置；

采用引線鍵合的方式將所述芯片和所述非芯片器件按照預定連接方式進行連接，并將連接后的引線連接至所述導電柱體的上端；

在所述導電柱體底端的焊盤上焊接焊球；

采用一次鑄造成型方式得到包含透鏡和管帽的至少一個管帽組件；

在真空條件下將各個管帽組件按照預定方式粘接在所述載體圓片的上表面。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在載體圓片的上表面進行處理形成凹槽，對所述載體圓片進行處理形成從所述載體圓片上表面至下表面貫穿的通孔，包括：

通過刻蝕或激光燒蝕在載體圓片的上表面進行處理形成凹槽，通過刻蝕或激光燒蝕對所述載體圓片進行處理形成從所述載體圓片上表面至下表面貫穿的通孔。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用預定粘貼方式將芯片粘貼至對應凹槽底部，將非芯片器件粘貼至所述載體圓片上表面非凹槽區域的對應位置，包括：

通過導電膠將所述芯片粘貼至對應凹槽底部，將所述非芯片器件粘貼至所述載體圓片上表面非凹槽區域的對應位置。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述導電柱體底端的焊盤上焊接焊球，包括：

通過植球工藝以及回流焊工藝在各個導電柱體底端的焊盤上焊接焊球。

10.根據權利要求6至9中任一所述的方法，其特征在于，在所述在真空條件下將各個管帽組件按照預定方式粘接在所述載體圓片的上表面之后，所述方法還包括：

以單個激光器為單位，通過激光切割方式對所述載體圓片進行切割。