[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710488943.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107634068A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文英;劉曉娣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括依次層疊設(shè)置的承載基板、第一散熱層、功能層,所述功能層設(shè)于朝向用戶的一側(cè);所述功能層包括數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器件、設(shè)于所述數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器件之間的金屬走線及連接段,所述數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器件上設(shè)有開(kāi)孔,所述連接段一端通過(guò)所述開(kāi)孔與驅(qū)動(dòng)器件相連,另一端橫跨所述金屬走線,與相鄰的驅(qū)動(dòng)器件相連接,所述第一散熱層將所述金屬走線、所述數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器件及所述連接段所散發(fā)的熱量通過(guò)所述承載基板散發(fā)出去。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括第二散熱層,所述第二散熱層層疊于所述承載基板上,且位于所述承載基板背離所述功能層的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述功能層包括驅(qū)動(dòng)器件區(qū)、金屬走線區(qū)及連接段區(qū),所述驅(qū)動(dòng)器件區(qū)設(shè)置所述驅(qū)動(dòng)器件,所述金屬走線區(qū)設(shè)置所述金屬走線,所述連接段區(qū)設(shè)置所述連接段,所述第一散熱層在所述功能層上的正投影落入所述金屬走線區(qū)、所述驅(qū)動(dòng)器件區(qū)及所述連接段區(qū)內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,還包括所述透光層,所述透光層填充于所述第一散熱層,所述透光層具有朝向所述功能層的第一表面,所述第一散熱層具有朝向所述功能層的第二表面,所述第一表面與所述第二表面齊平。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述功能層還包括絕緣層,所述絕緣層設(shè)于所述驅(qū)動(dòng)器件及所述金屬走線遠(yuǎn)離所述承載基板的一側(cè),所述連接段設(shè)于所述絕緣層上,且背離所述金屬線的一側(cè),所述開(kāi)孔貫穿于所述絕緣層,以使所述連接段與所述驅(qū)動(dòng)器件相連接。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一散熱層為絕緣材質(zhì)。
7.一種陣列基板制備方法,其特征在于,包括
在承載基板上制作第一散熱層;
在所述第一散熱層上制作數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)器件和數(shù)條金屬走線,所述金屬走線設(shè)于所述驅(qū)動(dòng)器件之間;
在所述驅(qū)動(dòng)器件上制作開(kāi)孔;
在所述第一散熱層上制作連接段,所述連接段一端通過(guò)所述開(kāi)孔與所述驅(qū)動(dòng)器件相連接,另一端橫跨所述金屬走線,與相鄰的驅(qū)動(dòng)器件相連接。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板制備方法,其特征在于,通過(guò)濺射方式制備所述第一散熱層。
9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板制備方法,其特征在于,在所述承載基板上濺射基礎(chǔ)靶材,將所述承載基板上的所述基礎(chǔ)靶材進(jìn)行等離子處理或在氧氣氣氛中高溫退火,以得到所述第一散熱層。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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