[發明專利]一種SAR型ADC的高精度校準裝置有效
| 申請號： | 201710488915.5 | 申請日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN107346975B | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 李婷;郭仲杰 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H03M1/10 | 分類號： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sar adc 高精度 校準 裝置 | ||
1.一種SAR型ADC的高精度校準裝置，其特征在于，包括比較器（1），比較器（1）的負向輸入端依次連接有高位電容陣列（6）、橋接電容（4）和低位電容陣列（5）；高位電容陣列（6）與高位和偏移誤差校準模塊（3）連接，低位電容陣列（5）與低位和橋接電容校準模塊（2）連接；高位電容陣列（6）和低位電容陣列（5）通過開關陣列（7）控制與數字控制邏輯（19）的導通；其中開關陣列（7）通過refp/refn方式連接；
所述高位和偏移誤差校準模塊（3）包括第一增益電容（8）、偏移誤差校準（9）以及多個高位電容校準，偏移誤差校準（9）與多個高位電容校準并聯，第一增益電容（8）與偏移誤差校準（9）連接；
所述多個高位電容校準包括與偏移誤差校準（9）并列設置的高位C電容校準（10）、高位2C電容校準（11）、高位4C電容校準（12）、高位8C電容校準（13）和高位16C電容校準（14）；所述低位和橋接電容校準模塊（2）包括第二增益電容（17）和低位校準單元（18），第二增益電容（17）與低位校準單元（18）連接，所述偏移誤差校準（9）、高位C電容校準（10）、高位2C電容校準（11）和高位4C電容校準（12）的結構為第一校準構型（15），第一校準構型（15）包括多個并列設置的電容，所述高位8C電容校準（13）和高位16C電容校準（14）的結構為第二校準構型（16），第二校準構型（16）比第一校準構型（15）多一個并聯電容，所述低位校準單元（18）包括多個電容并聯結構，多個電容并聯結構與第二增益電容（17）順序連接；靠近第二增益電容（17）的第一個電容并聯結構為1個電容，電容并聯結構的電容數量從第一個電容并聯結構開始遞增1個電容；校準的順序為：首先加入偏移誤差校準（9），然后加入低位和橋接電容校準模塊（2），最后加入高位和偏移誤差校準模塊（3）。
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