[發明專利]被保護免受后面攻擊的芯片

有效

• 申請號: 201710488773.2
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107799474B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: S·珀蒂迪迪埃;N·奧特利耶;R·A·比安基;A·法希;B·弗羅門特
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種半導體芯片，包括：

襯底，具有前面和與所述前面相對的后面，所述前面處設置至少兩個導電焊盤(3，4)；

至少兩個絕緣通孔，在相應所述導電焊盤(3，4)的正下方從所述前面延伸到所述后面，在相應所述絕緣通孔內設置被導電層(8)覆蓋的電介質層(6)，

其中，在所述后面的一側上的所述導電層(8)被連接至同一導電帶(12)，并且所述導電層(8)的在所述絕緣通孔的底部與所述前面處的相應所述導電焊盤(3，4)形成電容器，以及

其中所述至少兩個導電焊盤(3，4)適于被耦合至電容計，所述電容計被配置成測量所述至少兩個導電焊盤(3，4)之間的電容，以使得通過將測量的所述電容與閾值電容值進行比較以確定是否存在黑客攻擊。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，包括多個元件，所述導電帶(12)彼此平行。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述導電帶(12)在所述后面的表面的至少一部分上形成蜿蜒物。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體芯片，包括迷惑性導電焊盤(44)或迷惑性通孔(42)。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體芯片，其中，所述芯片的所述后面均勻地覆蓋有絕緣材料(40)。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片，其中，覆蓋所述后面的所述絕緣材料(40)為聚合物或氧化硅。

7.根據權利要求1至3和6中任一項所述的半導體芯片，其中，所述電介質層(6)為氧化硅。

8.根據權利要求1至3和6中任一項所述的半導體芯片，其中，所述導電帶(12)由銅、鈦或鋁制成。

9.一種用于制造半導體芯片的方法，所述方法包括以下步驟：

在襯底的前面上形成導電焊盤(3，4)；

使后面變?。?/p>

從所述后面蝕刻所述導電焊盤(3，4)下面的開口，在到達所述導電焊盤時停止；

在所述開口的壁和底部上沉積電介質層(6)；以及

在所述開口中形成導電層(8)并且形成將所述導電層(8)聯接在一起的導電帶(12)，其中所述導電焊盤通過所述導電帶而電容性地耦合。

10.根據權利要求9所述的用于制造半導體芯片的方法，其中，每個導電焊盤(3，4)為N型摻雜區。

11.根據權利要求10所述的用于制造半導體芯片的方法，其中，所述N型摻雜區的高度在1μm至10μm之間。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述蝕刻包括在另外的導電焊盤下蝕刻另外的開口；

其中所述沉積包括在所述另外的開口的壁和底部上沉積電介質層；

其中形成所述導電層包括在所述另外的開口中形成導電層；以及

其中所述方法還包括：在所述后面上形成第二導電帶，所述第二導電帶電連接到每個所述另外的開口的所述導電層。

13.根據權利要求9所述的方法，還包括：利用絕緣材料均勻地覆蓋所述襯底的所述后面。

14.一種確定是否在電子芯片上進行黑客攻擊的方法，所述電子芯片包括在前面處的第一導電焊盤和第二導電焊盤，所述第一導電焊盤和所述第二導電焊盤通過與所述前面相對的后面處的導電帶電容耦合，所述方法包括：

測量所述第一導電焊盤和所述第二導電焊盤之間的電容；

當所測量的電容高于閾值電容值時，確定存在黑客攻擊；以及

當所測量的電容低于所述閾值電容值時，確定沒有黑客攻擊。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述電子芯片包括設置在所述前面的電路裝置，所述電路裝置被配置為存儲或處理機密信息。