[發明專利]一種太赫茲波吸波體、制備方法及應用

有效

• 申請號: 201710488566.7
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107275796B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 易飛;甘如雷;陳宇遙;談小超;李君宇;楊奧;郭頌;蔣順
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;G02B5/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 廖盈春;李智

1.一種太赫茲波吸波體，其特征在于，包括：

從上至下依次排列的天線陣列(14)、介質層(13)以及金屬層(12)，

所述天線陣列(14)包括多個呈陣列排布的天線單元，所述天線單元包括四個呈旋轉對稱的天線結構，所述天線結構呈未封閉的凹字形結構，所述天線結構開口位于凹字形左側；未封閉的凹字形結構能夠增加所述天線結構的有效長度，實現對太赫茲波段光吸收；

所述介質層(13)厚度為使經過天線陣列反射的反射光和經過金屬層反射的反射光相位相差π。

2.如權利要求1所述的太赫茲波吸波體,其特征在于，通過增加所述天線結構的凹陷深度增大所述太赫茲吸波體中心吸收波長的值。

3.如權利要求1或2所述的太赫茲波吸波體,其特征在于，通過減少天線陣列的厚度增大太赫茲吸波體吸收光譜寬度。

4.一種基于權利要求1所述的太赫茲吸波體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1在襯底上附著金屬層獲得第一中間產物；

S2在所述第一中間產物上附著介質層獲得第二中間產物；

S3通過圖形轉移方法在所述第二中間產物上附著具有天線陣列反結構的曝光膠層，獲得第三中間產物；

S4通過在第三中間產物的曝光膠層上附著所述金屬層獲得第四中間產物；

S5對所述第四中間產物采用濕化學法去除曝光，獲得所述太赫茲波吸波體。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中通過如下步驟獲得所述第三中間產物：

S31在所述第二中間產物的介質層上旋涂曝光膠層；

S32對所述曝光膠層依次進行曝光處理、顯影處理以及定影處理，獲得具有所述天線陣列反結構的第三中間產物。

6.如權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，步驟S1和步驟S4中采用電子束蒸發或磁控濺射實現金屬層附著。

7.如權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中采用磁控濺射或化學氣相沉積實現介質層附著。

8.一種基于權利要求1所述的太赫茲波吸波體的應用。