[發明專利]薄膜太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201710488210.3 | 申請日: | 2017-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN109119492B | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發明(設計)人: | 謝夢蘭;陸慧;王杰;林劍;駱群;馬昌期 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜太陽能電池,其特征在于,包括底電極、從下而上依次疊層設置于所述底電極上的空穴傳輸層、活性層、電子傳輸層、保護層及頂電極,所述頂電極是由溶液法制備得到,所述保護層的材料為聚醚酰亞胺,或者9,9-二辛基芴-9,9-雙(N,N-二甲基胺丙基)芴。
2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述活性層的材質為具有鈣鈦礦型結構特征的半導體材料,所述具有鈣鈦礦型結構特征的半導體材料的結構式為ABX3,其中,A為I價的陽離子、B為II價的陽離子、X為鹵素陰離子。
3.根據權利要求2所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,A選自甲基銨陽離子、甲脒鎓陽離子、金屬銫離子中的至少一種,B選自Pb2+、Sn2+中的至少一種,C選自氯、溴、碘中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述底電極選自金屬電極、金屬氧化物電極、碳電極或聚合物電極中的一種。
5.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述空穴傳輸層選自金屬氧化物、聚合物中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述電子傳輸層選自富勒烯衍生物、金屬氧化物、聚合物中的至少一種。
7.根據權利要求1-6任一項所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,所述頂電極選自納米銅電極、納米銀電極、金屬合金電極、碳電極中的至少一種。
8.一種如權利要求1-7任一項所述的薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括:
提供一底電極;
從下而上依次遠離所述底電極、在所述底電極上沉積形成所述空穴傳輸層、活性層、電子傳輸層、保護層;
在所述保護層上采用溶液法制備工藝制備所述頂電極,獲得所述薄膜太陽能電池。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述溶液法制備工藝為噴墨打印或噴涂工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





