[發明專利]自卷曲薄膜及其制備方法和自卷曲方法在審
| 申請號: | 201710487669.1 | 申請日: | 2017-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN109112727A | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發明(設計)人: | 簡秀紋 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | D04H1/728 | 分類號: | D04H1/728;D04H1/74;D04H1/4374;D04H1/42 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 謝志為 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米纖維 高分子納米纖維 基體薄膜 制備 可變形薄膜 排列方式 收集器 卷曲 納米纖維復合膜 靜電紡絲 薄膜 環境敏感型材料 靜電紡絲裝置 紫外光照射 同一方向 裁剪 收縮 膨脹 | ||
1.一種自卷曲薄膜的制備方法,包括:
提供一靜電紡絲裝置,該靜電紡絲裝置包括一收集器;
采用靜電紡絲方法在該收集器上制備一納米纖維基體薄膜,所述納米纖維基體薄膜由高分子納米纖維按第一排列方式排列而成,所述第一排列方式為該納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維沿同一方向有序排列;
采用靜電紡絲方法在該納米纖維基體薄膜遠離該收集器的表面制備一納米纖維可變形薄膜,從而得到一納米纖維復合膜,該納米纖維可變形薄膜由高分子納米纖維按與該第一排列方式相同或不同的第二排列方式排列而成,該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維包括一環境敏感型材料,使該納米纖維可變形薄膜在環境溫度升高或紫外光照射條件下收縮或膨脹;以及
將該納米纖維復合膜從該收集器上分離并裁剪為所需尺寸,從而制得所述自卷曲薄膜。
2.如權利要求1所述的自卷曲薄膜的制備方法,其特征在于,所述納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維的材質為聚乙二醇,所述納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維的材質為聚(N-異丙基丙烯酰胺),所述聚(N-異丙基丙烯酰胺)作為所述環境敏感型材料。
3.如權利要求1所述的自卷曲薄膜的制備方法,其特征在于,所述納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維的材質為聚氨基甲酸酯,該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維的材質為光可分解型感光高分子。
4.如權利要求3所述的自卷曲薄膜的制備方法,其特征在于,所述光可分解型感光高分子為結合有香豆素的聚氨基甲酸酯,所述香豆素作為所述環境敏感型材料。
5.如權利要求4所述的自卷曲薄膜的制備方法,其特征在于,將聚氨基甲酸酯和溶劑混合以配制第一電紡溶液,通過該第一電紡溶液制備該納米纖維基體薄膜,將結合有香豆素的聚氨基甲酸酯和溶劑混合以配制第二電紡溶液,通過該第二電紡溶液制備該納米纖維可變形薄膜。
6.一種自卷曲薄膜的自卷曲方法,包括:
提供一靜電紡絲裝置,該靜電紡絲裝置包括一收集器;
采用靜電紡絲方法在該收集器上制備一納米纖維基體薄膜,所述納米纖維基體薄膜由高分子納米纖維按第一排列方式排列而成,所述第一排列方式為該納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維沿同一方向有序排列;
采用靜電紡絲方法在該納米纖維基體薄膜遠離該收集器的表面制備一納米纖維可變形薄膜,從而得到一復合膜,該納米纖維可變形薄膜由高分子納米纖維按與該第一排列方式相同或不同的第二排列方式排列而成,該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維包括一環境敏感型材料,使該納米纖維可變形薄膜在環境溫度升高或紫外光照射條件下收縮或膨脹;
將該納米纖維復合膜從該收集器上分離并裁剪為所需尺寸,從而制得所述自卷曲薄膜;以及
將所述自卷曲薄膜進行加熱或紫外光照射,使該納米纖維可變形薄膜收縮或膨脹,從而,該自卷曲薄膜卷曲而制得一套管。
7.如權利要求6所述的自卷曲薄膜的自卷曲方法,其特征在于,所述納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維的材質為聚乙二醇,所述納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維的材質為聚(N-異丙基丙烯酰胺),所述聚(N-異丙基丙烯酰胺)作為所述環境敏感型材料。
8.如權利要求6所述的自卷曲薄膜的自卷曲方法,其特征在于,所述納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維的材質為聚氨基甲酸酯,該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維的材質為光可分解型感光高分子。
9.如權利要求7或8所述的自卷曲薄膜的自卷曲方法,其特征在于,所述第二排列方式為該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維無序排列。
10.如權利要求7或8所述的自卷曲薄膜的自卷曲方法,其特征在于,所述第一排列方式為該納米纖維基體薄膜的高分子納米纖維沿第一方向有序排列,所述第二排列方式為該納米纖維可變形薄膜的高分子納米纖維沿與該第一方向垂直的第二方向有序排列。
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