[發明專利]一種高壓低損耗陶瓷電容器介質及其制備方法在審
| 申請號: | 201710487075.0 | 申請日: | 2017-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN107285762A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發明(設計)人: | 陳映義;牛繼恩;曹彥運;陳應和;王新婷 | 申請(專利權)人: | 汕頭市瑞升電子有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司: | 汕頭市潮睿專利事務有限公司44230 | 代理人: | 林天普,俞詩永 |
| 地址: | 515000 廣東省汕頭市金*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 壓低 損耗 陶瓷 電容器 介質 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及無機非金屬材料技術領域,具體涉及一種高壓低損耗陶瓷電容器介質以及這種高壓低損耗陶瓷電容器介質的制備方法。
背景技術
彩電、電腦、通迅、航空航天、導彈、航海等領域迫切需要擊穿電壓高、溫度穩定性好、可靠性高、小型化、大容量的陶瓷電容器。
通常用于生產高壓陶瓷電容器的介質中含有一定量的鉛,這不僅在生產、使用和廢棄過程中對人體和環境造成危害,而且對性能穩定性也有不良影響。
現有的陶瓷電容器介質中,有些介質雖屬無鉛介質材料,但它耐壓性較差,介電常數太小;而有些介質雖然介電常數高,但耐壓性太差;有些介質雖然介電常數很高,但介質損耗較大,耐壓性較差。可見,現有的陶瓷電容器介質不能兼顧高介電常數、低介質損耗和高耐壓性等各方面的要求。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種高壓低損耗陶瓷電容器介質以及這種高壓低損耗陶瓷電容器介質的制備方法,這種高壓低損耗陶瓷電容器介質介電常數高、耐電壓高且介質損耗小,在制備和使用過程中不污染環境,并且能夠在較低溫度下燒結。采用的技術方案如下:
一種高壓低損耗陶瓷電容器介質,其特征在于由下述重量配比的原料制成: BaTiO355-90%,SrTiO3 2-25%,CoNb2O6 2-15%,Bi2(SnO3)3 0.05-10%,MnNb2O6 0.03-1.0%, ZnO 0.1-1.5%,MnO2 0.03-1.0%。
一種優選方案中,上述高壓低損耗陶瓷電容器介質由下述重量配比的原料制成:BaTiO3 60-86%,SrTiO3 3-22%,CoNb2O6 3-12%,Bi2(SnO3)3 0.5-8%,MnNb2O6 0.2-0.6%,ZnO 0.2-0.7%,MnO2 0.03-1.0%。
另一種優選方案中,上述高壓低損耗陶瓷電容器介質由下述重量配比的原料制成:BaTiO3 65-83%,SrTiO3 3-19%,CoNb2O6 4-10%,Bi2(SnO3)3 1-6%,MnNb2O6 0.2-0.6%,ZnO 0.2-0.7%,MnO2 0.03-1.0%。
另一種優選方案中,上述高壓低損耗陶瓷電容器介質由下述重量配比的原料制成:BaTiO3 70-81%,SrTiO3 4-17%,CoNb2O6 3-8%,Bi2(SnO3)3 1-5%,MnNb2O6 0.2-0.6%,ZnO 0.2-0.7% ,MnO2 0.03-1.0%。
優選上述BaTiO3、SrTiO3、CoNb2O6、Bi2(SnO3)3、MnNb2O6分別是采用常規的化學原料以固相法合成。
上述BaTiO3可采用如下工藝制備:按1:1的摩爾比配備BaCO3和TiO2,然后對BaCO3和TiO2進行研磨并混合均勻,再將BaCO3和TiO2的混合物料放入氧化鋁坩堝內,于1250℃下保溫120分鐘,得到BaTiO3。得到的BaTiO3冷卻后,經研磨并過200目篩,備用。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于汕頭市瑞升電子有限公司,未經汕頭市瑞升電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710487075.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





