[發明專利]一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統

有效

• 申請號: 201710486211.4
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107516672B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 任春江;陳堂勝
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 沈進

1.一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統，其特征在于：鋁鎵氮（AlGaN）/氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的柵電極所采用的肖特基接觸系統包括第一Ni/Mo/X/Y/Ti多層金屬體系和形成在第一Ni/Mo/X/Y/Ti多層金屬體系上的第二Ni/Mo/X/Y/Ti多層金屬體系，且第二Ni/Mo/X/Y/Ti多層金屬體系寬度大于第一Ni/Mo/X/Y/Ti多層金屬體系寬度；其中，所述X金屬層為Ti或Ti/Pt或Ti/Pt/Ti/Pt或Ti/Mo/Ti/Mo；所述Y金屬層為Au或Al或Cu或Au/Pt/Au或Al/Pt/Al或Cu/Pt/Cu。

2.根據權利要求1所述的一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統，其特征在于：所述肖特基接觸系統為Ni/Mo/X/Y/Ti/Ni/Mo/X/Y/Ti，其中Ni金屬層的厚度為5-10nm，Mo金屬層的厚度為10-30nm，Ti金屬層的厚度為10-30nm；所述X金屬層為Ti/Pt，X金屬層中的Ti金屬層的厚度為70-150nm，Pt金屬層的厚度為30-50nm；所述Y金屬層為Au、Al或Cu，Y金屬層中的Au、Al或Cu金屬層的厚度為300-500nm。

3.根據權利要求1所述的一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統，其特征在于：所述肖特基接觸系統為Ni/Mo/X/Y/Ti/Ni/Mo/X/Y/Ti，其中Ni金屬層的厚度為5-10nm，Mo金屬層的厚度為10-30nm，Ti金屬層的厚度為10-30nm；所述X金屬層為Ti/Pt/Ti/Pt或Ti/Mo/Ti/Mo，X金屬層中每層Ti金屬層的厚度為35-75nm，每層Pt或Mo金屬層的厚度為30-50nm；所述Y金屬層為Au、Al或Cu，Y金屬層中的Au、Al或Cu金屬層的厚度為300-500nm。

4.根據權利要求1所述的一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統，其特征在于：所述肖特基接觸系統為Ni/Mo/X/Y/Ti/Ni/Mo/X/Y/Ti，其中Ni金屬層的厚度為5-10nm，Mo金屬層的厚度為10-30nm，Ti金屬層的厚度為10-30nm；所述X金屬層為Ti，其厚度為70-150nm；所述Y金屬層為Au/Pt/Au或Al/Pt/Al或Cu/Pt/Cu，Y金屬層中Au、Al或Cu金屬層優選的厚度為300-500nm，Pt金屬層優選的厚度為30-50nm。

5.根據權利要求1所述的一種適用于鋁鎵氮化合物/氮化鎵高電子遷移率晶體管的肖特基接觸系統，其特征在于：所述肖特基接觸系統為Ni/Mo/X/Y/Ti/Ni/Mo/X/Y/Ti，其中Ni金屬層的厚度為5-10nm，Mo金屬層的厚度為10-30nm，Ti金屬層的厚度為10-30nm；所述X金屬層為Ti，其厚度為70-150nm；所述Y金屬層為Au、Al或Cu，Y金屬層中的Au、Al或Cu金屬層的厚度為300-500nm。