[發(fā)明專利]一種用于散裂中子源的反射體

有效

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• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107093485B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜文婷;胡春明
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞中子科學(xué)中心
• 主分類號: G21G4/02
• 分類號: G21G4/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于散裂中子源的反射體，其特征在于：所述的反射體整體呈階梯圓柱體狀，主要包括通過長螺栓連接的反射體下段、連接環(huán)、反射體中段和反射體上段，連接環(huán)用于連接反射體下段和反射體中段下部；

所述的反射體下段整體形狀呈圓柱體結(jié)構(gòu)，主要包括反射體下段本體、下段入水管和下段出水管，其中反射體下段本體主要包括外層密閉鋁容器和從下往上縱向安裝在鋁容器內(nèi)部的下部反射體、中部反射體和上部反射體；所述的下部反射體主要包括下部鈹反射體、下部不銹鋼反射體和下部蓄水槽，所述下部不銹鋼反射體安裝在下部鈹反射體外圍，下部蓄水槽安裝在下部鈹反射體下方；所述的中部反射體主要包括高能中子通道、中部鈹反射體、中部不銹鋼反射體和中部鋁容器外圈；所述高能中子通道為帶底板的開口盒子結(jié)構(gòu)，盒子的內(nèi)孔為方孔，高能中子通道的底面緊貼在鋁容器靶體孔道外側(cè)，同靶體之間有間隔；所述的上部反射體包括上部鈹反射體、上部不銹鋼反射體和上部蓄水槽；上部不銹鋼反射體安裝在上部鈹反射體外圍，上部蓄水槽安裝在上部鈹反射體上方；所述鋁容器整體呈橫截面非整圓的圓柱體狀，在質(zhì)子入射角度左30.7°及右25°側(cè)面開設(shè)有兩個(gè)U型槽從上到下貫穿整個(gè)鋁容器，鋁容器在垂直方向設(shè)置有三個(gè)慢化器插槽；

所述的連接環(huán)內(nèi)部腔體為兩個(gè)耦合慢化器管道和下段入水管留出空間，連接環(huán)與反射體下段連接后，通過連接環(huán)上的吊裝螺孔可將反射體下段和連接環(huán)一起吊起；

所述的反射體中段主要包括反射體中段下部和反射體中段上部，內(nèi)部設(shè)計(jì)有兩層冷卻流道，每層冷卻流道成螺旋形結(jié)構(gòu)，通過中心的通孔相連接；

所述反射體上段是由一不銹鋼實(shí)心圓柱體屏蔽塊和四個(gè)條形管道槽插件組成，與反射體中段上部連接，管道槽插件上方通過方形搭扣實(shí)現(xiàn)垂直安裝時(shí)的定位，通過螺栓與屏蔽塊連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于散裂中子源的反射體，其特征在于：所述的下部反射體中的下部鈹反射體和下部不銹鋼反射體均呈圓環(huán)狀，其中下部鈹反射體的中心設(shè)置有耦合慢化器安裝空間；下部蓄水槽中心設(shè)置有耦合慢化器安裝空間；所述的中部反射體中的中部鈹反射體和中部不銹鋼反射體保證同心度安裝，并與高能中子通道一起安裝在鋁容器中部的間隙內(nèi)，將中部反射體密封在內(nèi)部；所述的上部反射體中的上部鈹反射體中心設(shè)置有兩個(gè)退耦合慢化器的安裝空間；上部蓄水槽中心為兩個(gè)退耦合慢化器留出安裝空間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于散裂中子源的反射體，其特征在于：所述的慢化器插槽中，其中兩個(gè)退耦合慢化器插槽位于鋁容器中分面以上，一個(gè)耦合慢化器插槽位于鋁容器中分面以下，鋁容器在水平方向有八個(gè)孔道，其中鋁容器的中分面上有靶體孔道、質(zhì)子束孔道和高能中子束孔道，另外，以鋁容器中分面高程為0，高程135.5mm的位置上有三條中子束孔道，高程-139mm的位置上有兩條中子束孔道。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于散裂中子源的反射體，其特征在于：所述的反射體中段下部主要包括一圓柱形結(jié)構(gòu)的反射體中段下部本體、中段下部入水管和中段下部出水管，反射體中段下部本體兩端分別與連接環(huán)和反射體中段上部連接；另外反射體中段上部與反射體中段下部和反射體上段連接。