[發明專利]薄膜晶體管輸出特性模型修正方法有效
| 申請號： | 201710485895.6 | 申請日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN107391802B | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發明（設計）人： | 王明湘;韓志遠 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G06F30/367 | 分類號： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 馮瑞 |
| 地址： | 215000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 輸出 特性 模型 修正 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜晶體管輸出特性模型修正方法，當薄膜晶體管工作在飽和區時，對漏極電流進行修正，其特征在于，所述方法具體包括：
通過將模型計算數據和實驗測量數據進行擬合，以確定適用于薄膜晶體管一組不同柵極電壓Vgs條件下輸出特性的同一擬合常數α；
采用如下修正公式確定修正后的漏極電流，
其中，Vdeff為有效漏極電壓，Vdeff＝VD-Vdsat，VD為漏極電壓，Vdsat為過飽和電壓；
Id為適用于線性區的未加修正的漏極電流模型所求得的電流。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管輸出特性模型修正方法，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：非晶硅薄膜晶體管，多晶硅薄膜晶體管，非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管，氧化鋅薄膜晶體管，有機物薄膜晶體管。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州大學，未經蘇州大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710485895.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
