[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710485853.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN107768422B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 立道秀平;竹野入俊司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;王穎

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第1主面上具備并列pn層，該并列pn層沿與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面平行的方向交替地反復(fù)配置有第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域和第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域，

所述半導(dǎo)體裝置具備僅在所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域?qū)氲?8族元素而成的第1區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1區(qū)域在從所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的所述第1主面朝向第2主面的深度方向上以預(yù)定的第1間隔配置有多個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1區(qū)域設(shè)置在所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第2區(qū)域，該第2區(qū)域通過在所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域?qū)氲?8族元素而成，

所述第2區(qū)域在所述深度方向上以預(yù)定的第2間隔配置有多個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第2區(qū)域設(shè)置在所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第2間隔大于所述第1間隔。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第2間隔大于所述第1間隔。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第2間隔等于所述第1間隔。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第2間隔等于所述第1間隔。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，1個(gè)以上的所述第1區(qū)域沿與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面平行的方向延伸，并且到達(dá)所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的邊界。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，1個(gè)以上的所述第1區(qū)域沿與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面平行的方向，以從所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域遍及到所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的方式延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，僅配置在所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的內(nèi)部的所述第1區(qū)域與沿與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的表面平行的方向以從所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域遍及到所述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的方式延伸的所述第2區(qū)域在深度方向上交替地反復(fù)配置。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備設(shè)置在所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域之間的第1導(dǎo)電型低濃度半導(dǎo)體層，該第1導(dǎo)電型低濃度半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度比所述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第18族元素是氬。