[發明專利]一種太陽能電池返工片的處理方法

在審

• 申請號: 201710485025.9
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107195728A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 繆乾;朱海龍;王善曉;羅茂盛
• 申請（專利權）人: 江陰鑫輝太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：將鍍膜的臟片洗去膜，之后將洗去膜的硅片用爐前清洗工藝再清洗一次去掉硅片表面的臟污以及金屬離子，之后將清洗后的硅片置于擴散爐管內進行熱氧化工藝，通過熱氧化工藝增加擴散氮及小氧保證片子方阻基本不變，且形成10nm±2nm的氧化層，之后將熱氧化后的硅片進行濕法刻蝕工藝及正常鍍膜工藝鍍膜；鍍膜出來后，將電池片經過正常印刷圖，檢測，制成電池片。

2.如權利要求1所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：將鍍膜的臟片通過50％的HF酸洗去Si3N4膜。

3.如權利要求1所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述爐前清洗工藝具體為將洗去膜的硅片順次通過鏈式制絨機所對應的清洗槽、堿洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、堿洗槽、酸洗槽中的溶液均單獨配置，清洗槽內配置有10±0.5％的HF、堿洗槽內配置有5.5±0.5％NaOH、酸洗槽內配置有5±0.5％的HF和3±0.5％的HCl。

4.如權利要求1所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述爐前清洗工藝具體也可以為將洗去膜的硅片順次通過爐前清洗槽所對應的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽，其中第一HF槽內配置有5±2％的HF、第二HF槽內配置有8±2％的HF、HCL槽配置有10±5％的HCl。

5.如權利要求1所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述熱氧化工藝需要分八步具體進行，八步中硅片均置于擴散爐管內，具體每步的工藝參數如下表：

其中，擴散氮及小氧為通過額外接口通入，且單步時間內通入，過了步驟就立馬變成0。

6.如權利要求1所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述濕法刻蝕工藝用于去除氧化層、氧化層中的臟污。

7.如權利要求6所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述濕法刻蝕工藝具體為將熱氧化后的硅片順次通過刻蝕槽、堿槽、酸槽進行處理，去除硅片表面的氧化層、同時去除氧化層中的臟污。

8.如權利要求7所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于，所述刻蝕槽內溶液的配比HF∶HNO₃∶H₂O＝3∶35∶5，所述堿槽內的溶液配比NaOH∶H₂O＝1∶10，所述酸槽內的溶液配比HF∶H₂O＝1∶3。

9.如權利要求8所述的一種太陽能電池返工片的處理方法，其特征在于：所述刻蝕槽內溶液的含量為30L的HF、350L的HNO₃、50L的H₂O，所述堿槽內溶液的含量為5L的NaOH、50L的H₂O。所述酸槽內溶液的含量為50L的HF、150L的H₂O。