[發(fā)明專利]一種互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710484292.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107240642A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 武興會(huì);崔娜娜;陳朝陽;張秋慧;王克甫;黃全振;黃明明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河南工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 鄭州優(yōu)盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司41125 | 代理人： | 孫詩雨,張志軍 |
| 地址： | 451191 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 互補(bǔ) 型阻變 存儲(chǔ)器 及其 制備 方法 | ||
1.一種互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
底層導(dǎo)電氧化物電極（1），
設(shè)于底層導(dǎo)電氧化物電極上表面的CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層（2），
設(shè)于CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層上表面的ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層（3），
設(shè)于ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層上表面的（4）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電氧化物電極由導(dǎo)電氧化物AZO、ITO、FTO或GZO構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電氧化物電極的厚度為100nm-500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層的厚度為10nm-200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層厚度為5nm-200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述頂電極為W極，頂電極的厚度為50nm-500nm。
7.一種權(quán)利要求1-6任一所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，步驟如下：
（1）底層導(dǎo)電氧化物電極的制備：采用直流磁控濺射在Si襯底上制備導(dǎo)電氧化物薄膜從而得到導(dǎo)電氧化物電極，所述導(dǎo)電氧化物薄膜為AZO薄膜、ITO薄膜、FTO薄膜或GZO薄膜；
（2）CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層的制備：采用磁控濺射在導(dǎo)電氧化物薄膜上表面制備CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層，濺射靶材為金屬Cu靶材，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氧氣和氬氣的混合氣體，工作氣壓為2Pa，濺射功率為35W；
（3）ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層的制備：采用磁控濺射在CuO存儲(chǔ)介質(zhì)層上表面制備ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層，濺射靶材為ZrO陶瓷，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氧氣和氬氣的混合氣體，工作氣壓為3.2Pa，濺射功率為150W；
（4）頂電極的制備：采用磁控濺射在ZrO存儲(chǔ)介質(zhì)層的上表面制備W電極，濺射靶材為金屬W靶材，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氬氣，工作氣壓為0.2Pa，濺射功率為120W。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的互補(bǔ)型阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）和步驟（3）中氧氣和氬氣的混合氣體中氧氣和氬氣的體積比為1:1-1:5。
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