[發(fā)明專利]一種互補型阻變存儲器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710484292.4
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN107240642A
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武興會;崔娜娜;陳朝陽;張秋慧;王克甫;黃全振;黃明明
• 申請（專利權(quán)）人: 河南工程學院
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 鄭州優(yōu)盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司41125
• 代理人: 孫詩雨,張志軍

1.一種互補型阻變存儲器，其特征在于，包括：

底層導(dǎo)電氧化物電極（1），

設(shè)于底層導(dǎo)電氧化物電極上表面的CuO存儲介質(zhì)層（2），

設(shè)于CuO存儲介質(zhì)層上表面的ZrO存儲介質(zhì)層（3），

設(shè)于ZrO存儲介質(zhì)層上表面的（4）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補型阻變存儲器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電氧化物電極由導(dǎo)電氧化物AZO、ITO、FTO或GZO構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補型阻變存儲器，其特征在于：所述底層導(dǎo)電氧化物電極的厚度為100nm-500nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補型阻變存儲器，其特征在于：所述CuO存儲介質(zhì)層的厚度為10nm-200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補型阻變存儲器，其特征在于：所述ZrO存儲介質(zhì)層厚度為5nm-200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補型阻變存儲器，其特征在于：所述頂電極為W極，頂電極的厚度為50nm-500nm。

7.一種權(quán)利要求1-6任一所述的互補型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，步驟如下：

（1）底層導(dǎo)電氧化物電極的制備：采用直流磁控濺射在Si襯底上制備導(dǎo)電氧化物薄膜從而得到導(dǎo)電氧化物電極，所述導(dǎo)電氧化物薄膜為AZO薄膜、ITO薄膜、FTO薄膜或GZO薄膜；

（2）CuO存儲介質(zhì)層的制備：采用磁控濺射在導(dǎo)電氧化物薄膜上表面制備CuO存儲介質(zhì)層，濺射靶材為金屬Cu靶材，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氧氣和氬氣的混合氣體，工作氣壓為2Pa，濺射功率為35W；

（3）ZrO存儲介質(zhì)層的制備：采用磁控濺射在CuO存儲介質(zhì)層上表面制備ZrO存儲介質(zhì)層，濺射靶材為ZrO陶瓷，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氧氣和氬氣的混合氣體，工作氣壓為3.2Pa，濺射功率為150W；

（4）頂電極的制備：采用磁控濺射在ZrO存儲介質(zhì)層的上表面制備W電極，濺射靶材為金屬W靶材，Si襯底溫度為室溫，反應(yīng)氣體為氬氣，工作氣壓為0.2Pa，濺射功率為120W。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的互補型阻變存儲器的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）和步驟（3）中氧氣和氬氣的混合氣體中氧氣和氬氣的體積比為1:1-1:5。