[發明專利]復合介質層數字微流控芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 201710483950.8 | 申請日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN109107619A | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發明（設計）人： | 王偉強;牛嘉琦 | 申請（專利權）人： | 南京理工大學 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 鄒偉紅;朱顯國 |
| 地址： | 210094 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基底 微流控芯片 復合介質層 高介電常數 復合薄膜 接地電極 納米顆粒 驅動電極 介質層 上基板 疏水層 特氟龍 下基板 制備 數字微流控器件 驅動電壓 制備工藝 復雜度 疏水 絕緣 芯片 | ||
1.復合介質層數字微流控芯片，包括上基板和下基板，其特征在于，所述上基板由上基底以及上基底上的接地電極和所述接地電極上方的疏水層構成；所述下基板由下基底以及下基底上的驅動電極和所述驅動電極上方的高介電常數納米顆粒/特氟龍復合薄膜構成。
2.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，上基板和下基板之間設有供液滴移動的間隙。
3.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述的高介電常數納米顆粒/特氟龍復合薄膜通過旋涂法涂覆在所述驅動電極上。
4.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述接地電極為ITO薄膜或鋁薄膜。
5.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述疏水層通過旋涂法涂覆在所述接地電極上。
6.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述驅動電極由導電薄膜通過光刻法制成，驅動電極個數大于等于1。
7.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高介電常數納米顆粒/特氟龍復合薄膜由如下步驟制備：
（1）將高介電常數納米顆粒與一定濃度的特氟龍溶液按一定的比率混配制成含有納米顆粒的懸濁液；
（2）將所述的懸濁液攪拌、超聲分散、靜置；
（3）再旋涂在加工好驅動電極的基底上方，烘烤，即可制得所述的高介電常數納米顆粒/特氟龍復合薄膜。
8.如權利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（1）中，高介電常數納米顆粒指介電常數為3.7以上的納米顆粒；特氟龍溶液的質量濃度為1%-10%；高介電常數納米顆粒在懸濁液中的質量濃度為1%~10%。
9.如權利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（2）中，攪拌時間不少于1小時；超聲分散時間不少于10分鐘；靜置時間不少于1小時。
10.如權利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（3）中，烘烤時間不少于5分鐘；烘烤溫度為75攝氏度以上。
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