[發(fā)明專(zhuān)利]復(fù)合介質(zhì)層數(shù)字微流控芯片及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710483950.8
• 申請(qǐng)日: 2017-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109107619A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王偉強(qiáng);牛嘉琦
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): B01L3/00
• 分類(lèi)號(hào): B01L3/00
• 代理公司: 南京理工大學(xué)專(zhuān)利中心 32203
• 代理人: 鄒偉紅;朱顯國(guó)

1.復(fù)合介質(zhì)層數(shù)字微流控芯片，包括上基板和下基板，其特征在于，所述上基板由上基底以及上基底上的接地電極和所述接地電極上方的疏水層構(gòu)成；所述下基板由下基底以及下基底上的驅(qū)動(dòng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極上方的高介電常數(shù)納米顆粒/特氟龍復(fù)合薄膜構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，上基板和下基板之間設(shè)有供液滴移動(dòng)的間隙。

3.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述的高介電常數(shù)納米顆粒/特氟龍復(fù)合薄膜通過(guò)旋涂法涂覆在所述驅(qū)動(dòng)電極上。

4.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述接地電極為ITO薄膜或鋁薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述疏水層通過(guò)旋涂法涂覆在所述接地電極上。

6.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極由導(dǎo)電薄膜通過(guò)光刻法制成，驅(qū)動(dòng)電極個(gè)數(shù)大于等于1。

7.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高介電常數(shù)納米顆粒/特氟龍復(fù)合薄膜由如下步驟制備：

（1）將高介電常數(shù)納米顆粒與一定濃度的特氟龍溶液按一定的比率混配制成含有納米顆粒的懸濁液；

（2）將所述的懸濁液攪拌、超聲分散、靜置；

（3）再旋涂在加工好驅(qū)動(dòng)電極的基底上方，烘烤，即可制得所述的高介電常數(shù)納米顆粒/特氟龍復(fù)合薄膜。

8.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（1）中，高介電常數(shù)納米顆粒指介電常數(shù)為3.7以上的納米顆粒；特氟龍溶液的質(zhì)量濃度為1%-10%；高介電常數(shù)納米顆粒在懸濁液中的質(zhì)量濃度為1%~10%。

9.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（2）中，攪拌時(shí)間不少于1小時(shí)；超聲分散時(shí)間不少于10分鐘；靜置時(shí)間不少于1小時(shí)。

10.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，步驟（3）中，烘烤時(shí)間不少于5分鐘；烘烤溫度為75攝氏度以上。