[發明專利]一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器及其制備方法有效
| 申請號： | 201710483443.4 | 申請日： | 2017-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN107134526B | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 劉舉慶;陳潔;黃維 | 申請（專利權）人： | 南京工業大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 江艷麗 |
| 地址： | 210009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 普適性 非易失性 一次 寫入 多次 讀取 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器，其特征在于：包括襯底，襯底之上依次為底電極、存儲介質層、頂電極，所述的存儲介質層是純絕緣性聚合物層；
所述的純絕緣性聚合物層中的純絕緣性聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮中的一種；
所述的底電極是還原氧化石墨烯電極。
2.根據權利要求1所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器，其特征在于：所述的純絕緣性聚合物層的制備方法是將純絕緣性聚合物溶于溶劑后，旋涂于底電極上，烘干。
3.根據權利要求1所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器，其特征在于：所述的存儲介質層的厚度為60nm-80nm。
4.根據權利要求1所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器，其特征在于：所述的襯底是硅片襯底，所述的頂電極是Al電極、Ag電極中的一種。
5.一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)底電極的制備：通過高溫熱還原氧化石墨烯的方法在襯底上制備還原氧化石墨烯膜；
(2)存儲介質層的制備：將純絕緣性聚合物溶于溶劑后，旋涂于底電極上，烘干；
(3)頂電極的制備：用熱蒸鍍的方法在存儲介質層上形成金屬Al電極，即得存儲器。
6.根據權利要求5所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器的制備方法，其特征在于：所述的步驟(1)中襯底在使用前需預處理，具體方法是：將襯底依次采用乙醇、異丙醇、乙醇超聲10-20min，氮氣吹干，用氧氣等離子清洗機在10-50W的功率下處理3-8min。
7.根據權利要求5所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器的制備方法，其特征在于：所述的步驟(1)中高溫熱還原氧化石墨烯的方法是在襯底上旋涂氧化石墨烯溶液，得氧化石墨烯薄膜，然后在氬/氫混合氣氛中在1000-1200℃的高溫下還原0.5-3小時，得還原氧化石墨烯膜。
8.根據權利要求5所述的一種具有普適性的非易失性一次寫入多次讀取存儲器的制備方法，其特征在于：所述的步驟(2)中旋涂采用旋涂儀，轉速為800-1200rpm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京工業大學，未經南京工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710483443.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
