[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板

在審

• 申請號: 201710482645.7
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN107275412A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 張良芬;吳元均;徐源竣
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

金屬氧化物半導體層，設置于所述基板上，所述金屬氧化物半導體層包括半導體本體層以及分別位于所述半導體本體層兩端的源極接觸層和漏極接觸層；

柵極絕緣層，設置于所述半導體本體層上；

柵極，設置于所述柵極絕緣層上；

第一鈍化層，設置于所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上，所述第一鈍化層中具有第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層；

源極和漏極，設置于所述第一鈍化層上，所述源極填充所述第一過孔，以與所述源極接觸層接觸，所述漏極填充所述第二過孔，以與所述漏極接觸層接觸。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體本體層由非晶的銦鎵鋅氧化物制成，所述源極接觸層和所述漏極接觸層由氫摻雜的銦鎵鋅氧化物制成。

3.根據權利要求1或2所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括：第二鈍化層，設置于所述柵極、所述源極接觸層、所述漏極接觸層上，所述第一鈍化層設置于所述第二鈍化層上。

4.根據權利要求3所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一鈍化層由硅的氧化物制成，所述第二鈍化層由硅的氮化物制成，所述第二鈍化層的厚度為5nm～50nm。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1至4任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為液晶顯示面板或者OLED顯示面板。

7.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板；

在所述基板上制作形成金屬氧化物半導體層；

在所述金屬氧化物半導體層上制作形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上制作形成柵極；

對所述柵極和所述柵極絕緣層進行圖案化處理，以將所述柵極和所述柵極絕緣層的兩端去除，從而將所述金屬氧化物半導體層的兩端暴露出；

對暴露出的所述金屬氧化物半導體層的兩端進行離子注入，以分別形成源極接觸層和漏極接觸層；

在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層；

在所述第一鈍化層中制作形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層；

在所述第一鈍化層上制作形成源極和漏極，所述源極填充所述第一過孔，以與所述源極接觸層接觸，所述漏極填充所述第二過孔，以與所述漏極接觸層接觸。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在步驟“對暴露出的所述金屬氧化物半導體層的兩端進行離子注入，以分別形成源極接觸層和漏極接觸層”之后，且在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層”之前，所述制作方法還包括步驟：在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層；

在步驟“在所述第一鈍化層中制作形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露出所述源極接觸層，所述第二過孔暴露出所述漏極接觸層”中，所述第一過孔和所述第二過孔分別貫通所述第二鈍化層。

9.根據權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，在步驟“在所述基板上制作形成金屬氧化物半導體層”中，利用非晶的銦鎵鋅氧化物在所述基板上制作形成金屬氧化物半導體層。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層”中，利用硅的氧化物在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第一鈍化層；

在步驟“在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層”中，利用硅的氮化物在所述柵極、所述源極接觸層和所述漏極接觸層上制作形成第二鈍化層，所述第二鈍化層的厚度為5nm～50nm。