[發(fā)明專利]偽金屬帽和再分布線的路由設(shè)計

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710482330.2
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN108400122B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余振華;陳憲偉;李孟燦;林宗澍;吳偉誠;邱建嘉;王景德
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種封裝件，包括：

第一介電層；

器件管芯，位于所述第一介電層上方并且附接至所述第一介電層；

有源貫通孔和偽貫通孔；

密封材料，密封所述器件管芯、所述有源貫通孔和所述偽貫通孔；

第二介電層，位于所述器件管芯、所述有源貫通孔和所述偽貫通孔上方并且接觸所述器件管芯、所述有源貫通孔和所述偽貫通孔；

有源金屬帽，位于所述第二介電層上方并且接觸所述第二介電層并且電連接至所述有源貫通孔，其中，所述有源金屬帽與所述有源貫通孔重疊；

偽金屬帽，位于所述第二介電層上方并且接觸所述第二介電層，其中，所述偽金屬帽與所述偽貫通孔重疊，并且通過第一間隙將所述偽金屬帽分成第一部分和第二部分；以及

第一再分布線，穿過所述第一間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分協(xié)作地形成圓形形狀、六邊形形狀或八邊形形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分中的至少一個是電浮置的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝件，還包括位于所述第二介電層中的通孔，其中，所述通孔連接所述偽金屬帽的所述第一部分，并且所述偽貫通孔和所述偽金屬帽的所述第一部分的組合是電浮置的。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝件，還包括位于所述第二介電層中的通孔，其中，所述通孔連接所述偽金屬帽的所述第一部分，并且所述偽貫通孔和所述偽金屬帽的所述第一部分組合連接至電壓并且配置為不允許電流通過。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括互連所述偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分的金屬橋。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝件，其中，所述金屬橋以及所述偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分的組合是電浮置的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，還包括穿過所述第一間隙的第二再分布線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其中，所述偽金屬帽通過第二間隙分成第三部分，第二間隙位于所述偽金屬帽的所述第二部分和所述第三部分之間，并且所述封裝件還包括位于所述第二間隙中的第二再分布線。

10.一種封裝件，包括：

器件管芯；

偽貫通孔；

密封材料，密封所述器件管芯和所述偽貫通孔；

第一介電層，位于所述器件管芯、所述偽貫通孔和所述密封材料上方并且接觸所述器件管芯、所述偽貫通孔和所述密封材料；

第一偽金屬帽，位于所述第一介電層上方并且接觸所述第一介電層，其中，所述第一偽金屬帽與所述偽貫通孔重疊并且延伸超過所述偽貫通孔的邊緣；以及

第一再分布線，在與所述第一偽金屬帽相同的水平處，其中，所述第一再分布線將所述第一偽金屬帽分成第一部分和第二部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝件，其中，所述第一偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分彼此電去耦。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝件，還包括位于所述第一偽金屬帽上方的金屬橋，其中，所述金屬橋互連所述第一偽金屬帽的所述第一部分和所述第二部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝件，還包括位于所述第一介電層中的通孔，其中，所述通孔將所述第一偽金屬帽的所述第一部分連接至所述偽貫通孔，并且所述第一偽金屬帽的所述第二部分是電浮置的。