[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

有效

• 申請號: 201710482040.8
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN107541717B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 堀池亮太;龜田賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/44;H01L21/67
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼<國際申請>=<國際公布>

1.一種半導體器件的制造方法，具有通過將包含下述工序的循環進行規定次數從而在襯底上形成膜的工序：向處理室內的襯底供給原料并經第一排氣系統排氣的工序、和向所述處理室內的所述襯底供給反應體并經第二排氣系統排氣的工序，

在形成所述膜的工序中，當所述原料不流過所述第一排氣系統內時，經設置于所述第一排氣系統的供給端口向所述第一排氣系統內直接供給失活體，所述失活體為不同于所述反應體的物質。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，向所述第一排氣系統內交替流入所述原料和所述失活體。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附著于所述第一排氣系統內的所述原料與所述失活體間歇地反應。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述原料包含鹵元素，

在形成所述膜的工序中，利用所述失活體，從附著于所述第一排氣系統內的所述原料中抽出鹵元素。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，使附著于所述第一排氣系統內的所述原料與所述失活體反應，從而在所述第一排氣系統內形成氧化膜。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一排氣系統是不同于所述第二排氣系統的排氣系統。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，當經所述第二排氣系統而對所述反應體進行排氣時，向所述第一排氣系統內供給所述失活體。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，當向所述第一排氣系統內供給所述失活體時，使所述第一排氣系統內與所述處理室內處于非連通。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一排氣系統是與所述第二排氣系統同樣的排氣系統。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，在經所述排氣系統將所述原料排氣后、經所述排氣系統開始所述反應體的排氣前，向所述排氣系統內供給所述失活體。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，當經所述排氣系統而對所述反應體進行排氣時，向所述排氣系統內供給所述失活體。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述失活體包含氧化劑和催化劑。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中，所述氧化劑含有O-H鍵。

14.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述膜的工序中，間歇且非同時地進行供給所述原料并經所述第一排氣系統排氣的工序、和供給所述反應體并經所述第二排氣系統排氣的工序。