[發明專利]基板處理單元、烘焙裝置及基板處理方法

在審

• 申請號: 201710481475.0
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN107546123A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 金性洙;徐鐘錫
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所11410
• 代理人: 石寶忠

技術領域

本文所描述的發明構思的實施方式涉及一種基板處理裝置，并且更具體地涉及一種基板加熱裝置。

背景技術

執行各種工藝例如光刻、蝕刻、沉積、以及清洗，以制造半導體器件。光刻工藝是用于形成圖案的工藝，并且在高集成度的半導體器件中起著重要作用。

光刻工藝主要包括涂布工序、曝光工序和顯影工序，并且在曝光工序之前和之后進行烘焙工序。烘焙工序是用于熱處理基板的工序，如果基板被置于加熱板上，則通過設置在加熱板內部的加熱器對基板進行熱處理。

圖1是示出一般烘焙單元的截面圖。

參考圖1，烘焙單元包括殼體2，其提供用于在其內部進行烘焙工序的空間；加熱器3，其安裝在殼體2內部，用于加熱基板S；和排氣管線。

在執行烘焙工序的過程中產生的煙氣通過排氣管線4被排出到外部，并且外部空氣通過入口5被引入。

傳統的烘焙裝置1以中心地集中排氣的方式來實施，其中排氣管線4設置在殼體1的上側的中心處，并且在低溫外部氣體通過入口被引入到殼體中的過程中，殼體的內部溫度被降低。此外，根據傳統的烘焙裝置，在通過排氣管線將煙氣排出的過程中，煙氣附著到排氣管線的內表面，導致排氣管線的排氣通道更小。

此外，傳統的烘焙工序依賴于加熱器的性能和加熱器的控制，以提高基板薄膜的厚度均勻性，并且無控制地被引入到殼體中的外部空氣被公認為確定基板薄膜厚度的主要原因。

發明內容

本發明構思的實施方式提供了一種加熱單元、包括該加熱單元的烘焙裝置和使用該烘焙裝置的基板處理方法，在加熱單元中可以通過調節被引入到的殼體中不同區域的外部空氣的流速來調節基板區域的膜厚度。

本發明構思的實施方式還提供一種加熱單元、包括該加熱單元的烘焙裝置和使用該烘焙裝置的基板處理方法，該加熱單元可以在基板被加熱時抑制從外部引入的空氣影響基板的溫度。

本發明構思的實施方式提供了一種加熱單元、包括該加熱單元的烘焙裝置和使用該烘焙裝置的基板處理方法，該加熱單元可以在基板處理工藝中防止煙氣被再次吸附。

本發明構思的技術目的不限于上述技術目的，并且從下面的描述中其它未提及的技術目的對于本領域的技術人員將變得顯而易見。

根據本發明構思的一方面，提供了一種加熱單元，其包括：殼體，其在其內部提供處理空間；加熱板，其在處理空間中支撐基板；加熱構件，其設置在加熱板中并且被配置為對由加熱板支撐的基板進行加熱處理；排氣構件，其被配置為將在殼體的內部空間中的氣體排出；和外部氣體供給部件，其安裝在殼體中并且被配置為將外部氣體供給到處理空間中，其中外部氣體供給部件包括：多個入口，其設置在殼體中；和多個流速調節構件，其分別安裝在入口中并且被配置為調節被引入到入口中的外部氣體的流速。

每個流速調節構件可以包括開口蓋，其被配置為調節相應入口的開度。

外部氣體供給部件還可以包括多個蓋驅動部件，其被配置為驅動開口蓋；以及流速控制部件，其被配置為控制蓋驅動部件。

排氣構件可以包括引導構件，其安裝在殼體的上部面對加熱板并且在其中心具有排氣孔；和排氣管，其穿過殼體的上表面以連接到排氣孔。

引導構件可以被分成引入區域和排出區域，引入區域與殼體的上表面的內壁和側表面的內壁間隔開以使得在引導構件上方的外部氣體通過引入區域被引入，排出區域供在引導構件下方的外部氣體排出。

當俯視時，引導構件的面積可以大于基板的面積。

每個流速調節構件可以包括流速控制閥，其安裝在相應入口中。

加熱單元還可以包括多個加熱器，其安裝在殼體中并且被配置為分別對通過入口引入到殼體中的外部氣體進行加熱。

殼體可以被分成多個周向區，并且加熱單元還可以包括加熱器控制部件，用于單獨地控制安裝在周向區中的加熱器。

加熱器可以安裝在殼體的側壁上。

殼體可以包括：下主體，其具有頂部開口的圓柱形，并且加熱板位于其中；上主體，其位于下主體的開口的上側，并以底部開口的容器形狀與下主體聯接，以在其內部提供處理空間；和主體升降部，其被配置為使上主體升降。