[發(fā)明專利]一種中間帶半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710481073.0 | 申請日： | 2017-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN107381623B | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃富強;孫寶華;王東 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C01G17/00 | 分類號： | C01G17/00;H01L31/032;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 中間 半導(dǎo)體材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種中間帶半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述中間帶半導(dǎo)體材料是位于
2.一種如權(quán)利要求1所述中間帶半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，包括：
將鍺源、銅源、硫源和鉀源進行混合，得到混合物，所述鍺源中鍺元素、銅源中銅元素、硫源中硫元素和鉀源中鉀元素的摩爾比為1：1：（20～27）：（35～55）；
將所得混合物在200～240 ℃下反應(yīng)3～7天，再經(jīng)清洗，得到所述中間帶半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，將鍺源、銅源和硫源混合均勻后，再加入鉀源，得到混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述鍺源為鍺單質(zhì)和GeS2中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述銅源為銅單質(zhì)和Cu2S中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述硫源為硫脲和單質(zhì)硫粉中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述硫源為硫脲。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述鉀源為KOH和K2CO3中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述鉀源為KOH或K2CO3。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-9中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述鍺源的粒徑為100納米～10微米，所述銅源的粒徑為100納米～5微米。
11.一種如權(quán)利要求1中所述中間帶半導(dǎo)體材料在制備中間帶太陽能電池中的應(yīng)用。
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