[發(fā)明專利]光電元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710480015.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN107256913B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪詳竣;陳昭興;沈建賦;王佳琨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種光電元件，包含：

半導(dǎo)體疊層，包含：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層、及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

凹槽，從該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層向下蝕刻該活性層至暴露出該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

第一電極，形成于該凹槽上，并與該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接，且該第一電極還包含一第一延伸電極；

一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，并沿著該凹槽的側(cè)壁延伸至該凹槽的底部；及

第二導(dǎo)電型接觸層，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與該一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域之間，其中該一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域露出該第二導(dǎo)電型接觸層的部分，該第一延伸電極位于該一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域之上，

其中該第一延伸電極沿著該一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域的側(cè)壁延伸至該凹槽的該底部并接觸該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，及

其中該第一延伸電極具有一寬度D₂；

該第二導(dǎo)電型接觸層為該凹槽所分隔，其中被分隔的該第二導(dǎo)電型接觸層相距一距離D₁，且D₁＜D₂。

2.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中還包含基板，位于該半導(dǎo)體疊層之上，其中該基板與該第一電極位于該半導(dǎo)體疊層的相對(duì)側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中還包含第二電極位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上，該第二電極包含鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、錫(Sn)、或銀(Ag)金屬材料。

4.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該多個(gè)限制電性接觸區(qū)域以變距離的間隔分布。

5.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該第一延伸電極為對(duì)稱形狀。

6.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該寬度D2介于5μm～100μm。

7.如權(quán)利要求5所述的光電元件，其中該第二導(dǎo)電型接觸層包含氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、與氧化鋅錫中至少其一。

8.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該一或多個(gè)限制電性接觸區(qū)域包含氧化硅，氮化硅，氧化鋁，氧化鋯，或氧化鈦介電材料。

9.一種光電元件，包含：

半導(dǎo)體疊層，包含：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層、及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

凹槽，從該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層向下蝕刻該活性層至暴露出該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

限制電性接觸區(qū)域，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上并沿著該凹槽的側(cè)壁延伸至該凹槽的底部；

第一電極，形成于該凹槽上，并與該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接，且該第一電極還包含一具有一寬度D₂的第一延伸電極；及

第二導(dǎo)電型接觸層，位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與該限制電性接觸區(qū)域之間且為該凹槽所分隔，其中，被分隔的該第二導(dǎo)電型接觸層相距一距離D₁，且D₁＜D₂。

10.如權(quán)利要求9所述的光電元件，其中還包含第二電極位于該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上，該第二電極包含鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、錫(Sn)、或銀(Ag)金屬材料。