[發明專利]一種改善PECVD鍍膜膜色的方法有效
| 申請號: | 201710479890.2 | 申請日: | 2017-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN107267963B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發明(設計)人: | 劉文國;顧峰;蘇世杰;張玉前 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(合肥)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/34 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識產權事務所 53113 | 代理人: | 張璽 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 pecvd 鍍膜 方法 | ||
本發明涉及晶體硅電池片表面減反膜制作技術領域,具體為一種改善PECVD鍍膜膜色的方法,將石墨舟清洗好后進行兩次飽和,包括以下步驟:步驟1:先把石墨舟拆開,然后在兩片舟片的定位柱卡點對應位置裝上陶瓷粒,最后把石墨舟組裝好,進行第一次飽和;步驟2:把石墨舟兩側的螺絲擰松,晃動舟頁把定位柱卡點處的陶瓷粒取出來,擰緊石墨舟兩側的螺絲并校準,然后進行第二次飽和;第一次飽和完成后,待石墨舟冷卻后,再進行第二次飽和。本發明既保證了石墨舟的飽和度,又盡可能少的在定位柱卡點上沉積氮化硅,使定位柱卡點與硅片之間的導電性、導熱性受到的影響相對較少,從而使氮化硅膜沉積更均勻,減輕鍍膜的色差。
技術領域
本發明涉及晶體硅電池片表面減反膜制作技術領域,具體涉及一種改善PECVD鍍膜膜色的方法。
背景技術
目前在晶體硅電池片表面制作的減反膜,普遍采用具有良好的減反射和表面鈍化作用的氮化硅膜。在太陽能電池生產工藝中,普遍采用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)的方式進行鍍氮化硅膜,主要分為管式PECVD和板式PECVD。在管式PECVD的工藝制程中,石墨舟作為硅片的載體,硅片固定在石墨舟上也起到了電極作用,一片硅片通常通過三個定位柱卡點固定在石墨舟上。
石墨舟使用一定次數后,由于石墨舟表面鍍的氮化硅比較厚導致石墨舟的導電、導熱性能變差從而引起鍍膜色差等異常,這時需對石墨舟進行酸洗去除石墨舟表面的氮化硅,然后水洗和烘干。對清洗好的石墨舟,由于石墨表面有一定的粗糙度會導致鍍膜不均勻,同時由于管式PECVD是直接式的PECVD,等離子體直接打在石墨舟片表面也會使石墨舟片的石墨粉脫落。因此清洗好的石墨舟在使用前需進行預處理,就是在石墨舟表面鍍上一層一定厚度的氮化硅膜,使舟片表面平整,同時可以保護石墨舟,減少石墨粉掉落。
現有技術對于石墨舟的預處理方法普遍為空舟預處理,即將清洗好的石墨舟在空載的情況下直接進行預處理,此方法存在以下問題:空舟預處理時,定位柱卡點處于暴露狀態,因此在預處理過程中,定位柱卡點及定位柱卡點與舟片的縫隙中會沉積氮化硅膜,導致在正常鍍膜工藝過程中,定位柱卡點與硅片之間的導電性、導熱性均受到影響,從而導致氮化硅膜沉積不均勻,造成鍍膜均勻性較差且石墨舟使用次數偏低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種改善PECVD鍍膜膜色的方法,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種改善PECVD鍍膜膜色的方法,將石墨舟清洗好后進行兩次飽和,包括以下步驟:
步驟1:對石墨舟舟片的定位柱卡點進行保護,然后進行第一次飽和;
步驟1的具體步驟如下:先把石墨舟拆開,然后在兩片舟片的定位柱卡點對應位置裝上陶瓷粒,最后把石墨舟組裝好,進行第一次飽和;
步驟2:將步驟1中定位柱卡點的保護物取出,然后進行第二次飽和;
步驟2的具體步驟如下:把石墨舟兩側的螺絲擰松,晃動舟頁把定位柱卡點處的陶瓷粒取出來,擰緊石墨舟兩側的螺絲并校準,然后進行第二次飽和。
優選的,步驟1的第一次飽和完成后,待石墨舟冷卻后,再進行步驟2。
優選的,步驟1和步驟2的兩次飽和工藝的沉積時間之和與原有一次飽和工藝的沉積時間相同。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:
本發明既保證了石墨舟的飽和度,又盡可能少的在定位柱卡點上沉積氮化硅,使定位柱卡點與硅片之間的導電性、導熱性受到的影響相對較少,增加石墨舟的使用次數,從而使氮化硅膜沉積更均勻,減輕鍍膜的色差。
具體實施方式
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





