[發(fā)明專利]光罩結(jié)構(gòu)及陣列基板制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710479332.6
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN107153324B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐洪遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/32
• 分類號(hào): G03F1/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種光罩結(jié)構(gòu)，包括陣列分布的若干光罩單元；所述光罩單元包括：第一光罩，用以在所述陣列基板表面的對應(yīng)區(qū)域形成第一透明電極；第二光罩，連接于所述第一光罩，用以在所述陣列基板表面的對應(yīng)區(qū)域形成第二透明電極；其中，所述第一光罩與所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率；本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明的光罩結(jié)構(gòu)，同一光罩單元包括具有兩種不同照光量的光罩，能夠?qū)崿F(xiàn)陣列基板同層不同區(qū)域的光刻膠接受不同的光照量，以抵消部分區(qū)域因底部金屬反光導(dǎo)致該區(qū)域曝光強(qiáng)度大于其他區(qū)域，導(dǎo)致的該區(qū)域光刻膠與其他區(qū)域光刻膠的高度差，從而實(shí)現(xiàn)同層光刻膠的各區(qū)域具有相同高度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光罩結(jié)構(gòu)以及使用所述光罩結(jié)構(gòu)制備陣列基板的方法。

背景技術(shù)

3mask技術(shù)采用Lift-off(剝離)工藝可以將ITO(像素電極)層和PV(鈍化層)層用一張光罩同時(shí)形成，從而使總光罩?jǐn)?shù)量減小至三張(3mask)。

傳統(tǒng)的3mask制程多數(shù)只針對TN模式，ITO并不形成狹縫圖形；或者ITO形成狹縫圖形，但因ITO只能沉積于挖洞處，使所有ITO層都處在SiNx(氮化硅)的凹槽中，ITO橫向電場減弱，影響液晶顯示效果，形成顯示畫面亮度不均勻的缺陷；隨著技術(shù)的發(fā)展，改進(jìn)后的3mask技術(shù)，PV/ITO層用一張HTM(半色調(diào)光罩)或GTM(灰階光罩)形成，使像素區(qū)的ITO既能形成狹縫，又能覆蓋在PV層上方，形成與4mask完全一樣的結(jié)構(gòu)。

這種大面積HTM光罩，因采用同一種透過率的半透膜，在制作單層膜實(shí)驗(yàn)時(shí)，因光罩的縫隙較窄，導(dǎo)致光線部分衍射，使對應(yīng)該區(qū)域的光刻膠感光量較其他區(qū)域的光刻膠少，感光量的差異導(dǎo)致兩處光刻膠膜厚相差0.5um左右；在全制程實(shí)驗(yàn)中，因陣列基板過孔處下方漏極金屬反光，導(dǎo)致漏極金屬上方光罩的對應(yīng)區(qū)域曝光量增強(qiáng)，致使對應(yīng)該區(qū)域已經(jīng)較薄的光刻膠被再次減薄，甚至消失，進(jìn)而導(dǎo)致后面干刻蝕制程時(shí)ITO被刻蝕而削弱，致使ITO爬坡斷線。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的HTM光罩，各區(qū)域均采用同一種透過率的半透膜，致使在制備陣列基板時(shí)，同一層ITO表面不同區(qū)域的光刻膠存在膜厚差異，甚至致使較薄光刻膠消失，進(jìn)而導(dǎo)致后面干刻蝕制程時(shí)ITO被刻蝕而削弱，致使ITO爬坡斷線。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種光罩結(jié)構(gòu)，能夠?qū)﹃嚵谢宓牟煌瑓^(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同的照光量，以解決現(xiàn)有技術(shù)的HTM光罩，各區(qū)域均采用同一種透過率的半透膜，致使在制備陣列基板時(shí)，同一層ITO表面不同區(qū)域的光刻膠存在膜厚差異，甚至致使較薄光刻膠消失，進(jìn)而導(dǎo)致后面干刻蝕制程時(shí)ITO被刻蝕而削弱，致使ITO爬坡斷線的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種光罩結(jié)構(gòu)，包括陣列分布的若干光罩單元，用以在顯示面板的陣列基板表面形成金屬圖案；

所述光罩單元包括：

第一光罩，用以在所述陣列基板表面的對應(yīng)區(qū)域形成第一透明電極；

第二光罩，連接于所述第一光罩，用以在所述陣列基板表面的對應(yīng)區(qū)域形成第二透明電極；其中，

所述第一光罩與所述第二光罩具有不同的透光率，且所述第二光罩的透光率小于所述第一光罩的透光率，用以形成不同的照光量。

所述第一光罩包括相對稱設(shè)置的兩狹縫區(qū)域，所述第二光罩包括用以連接兩所述狹縫區(qū)域的第一連接區(qū)域，以及連接于所述第一連接區(qū)域一端的第二連接區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第一光罩與所述第二光罩均采用半色調(diào)光罩。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第一光罩采用單縫衍射光罩，所述第二光罩采用半色調(diào)光罩。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第一光罩的狹縫寬度為1.6um～1.8um。