[發(fā)明專利]基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710479082.6
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN107123703A
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡平安;劉光波;李中華;陳曉爽;鄭威;馮偉;戴明金
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/09
• 代理公司: 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11340
• 代理人: 范光曄

1.基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，其特征在于：它的制備方法為：

步驟一：在導(dǎo)電襯底上制備出獨(dú)立式垂直排列的二硫化錫納米片；

步驟二：旋涂一層透明絕緣層后烘干以將二硫化錫納米片封裝起來；

步驟三：用等離子刻蝕工藝將部分透明絕緣層刻蝕掉，重新暴露出部分二硫化錫納米片；

步驟四：蒸鍍一層透明金屬電極，完成器件。

2.基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器，其特征在于：它包括金電極、PMMA絕緣層、垂直二硫化錫納米片和導(dǎo)電襯底FTO玻璃；所述金電極為正極，F(xiàn)TO玻璃為負(fù)極，垂直二硫化錫納米片為光電轉(zhuǎn)換核心單元，PMMA絕緣層包覆著中間的二硫化錫納米片，并隔絕上下電極防止短路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟一中所述的獨(dú)立式垂直排列的二硫化錫納米片的制備工藝為化學(xué)氣相沉積法，生長所用導(dǎo)電襯底為氟摻雜二氧化錫透明導(dǎo)電玻璃，生長溫度小于450℃，生長時(shí)間為5min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟二中所述的透明絕緣層為聚甲基丙烯酸甲酯；旋涂參數(shù)為500rpm轉(zhuǎn)速下保持30s，然后1000rpm轉(zhuǎn)速下保持30s，重復(fù)3-5次；烘干溫度為120℃，保持時(shí)間為5-10min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟三中所述的等離子刻蝕工藝為氧氣等離子體，射頻電源功率為18W，刻蝕時(shí)間為10-30min不等，其目的為刻蝕掉上層PMMA直至獲得重新暴露的小部分二硫化錫納米片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于獨(dú)立式二硫化錫納米片的垂直光電探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟四中所述的蒸鍍?yōu)闊嵴翦儯饘匐姌O為純度99.99％的金，蒸鍍厚度為20nm。