[發明專利]一種芯片封裝結構

在審

• 申請號: 201710479072.2
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN109103154A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 符會利;林志榮;張相雄;蔡樹杰
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：基板，以及芯片，還包括：固定在所述基板上的散熱環以及覆蓋在所述散熱環上的平面熱管散熱器，且所述基板、散熱環及所述平面熱管散熱器圍成容納所述芯片的空間，所述芯片位于所述空間內且與所述基板固定連接，所述平面熱管散熱器朝向所述芯片的一面設置有第一金屬薄膜層，且所述芯片通過燒結金屬層與所述第一金屬薄膜層熱耦合連接。

2.如權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片朝向所述平面熱管散熱器的一面設置有第二金屬薄膜層，所述燒結金屬層與所述第二金屬薄膜層熱耦合。

3.如權利要求2所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述燒結金屬層包括多個金屬顆粒以及包裹所述多個金屬顆粒的填充層。

4.如權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述金屬顆粒為銀顆粒、鋁顆粒、銅顆粒、鎂顆粒或者金顆粒。

5.如權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述金屬顆粒與所述第一金屬薄膜層及第二金屬薄膜層燒結形成原子級連續相結構。

6.如權利要求3～5任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述填充層為空氣層或膠層。

7.如權利要求2～6任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一金屬薄膜層通過濺射或電鍍的方式設置在所述平面熱管散熱器；所述第二金屬薄膜層通過濺射或電鍍的方式設置在所述芯片。

8.如權利要求1～7任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片的個數為m個，且其中n個芯片與所述平面熱管散熱器之間設置有熱電制冷片，且所述熱電制冷片的一面與所述平面熱管散熱器連接，另一面通過所述燒結金屬層與所述芯片熱耦合連接；其中，m、n均為整數，且m≥1，m≥n。

9.如權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述熱電制冷片為功率可調的熱電制冷片。

10.如權利要求8所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述熱電制冷片朝向所述芯片的一面設置有第三金屬薄膜層。

11.如權利要求9所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第三金屬薄膜層通過濺射或電鍍的方式設置在所述熱電制冷片。

12.如權利要求1～11任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述散熱環分別與所述基板及所述平面熱管散熱器粘接連接。

13.如權利要求1～11任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述散熱環與所述平面熱管散熱器為一體結構，且所述散熱環與所述基板粘接連接。