[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710477486.1 | 申請日： | 2017-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN107946280B | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邱盈達(dá);邱詠達(dá);陳道隆;李志成;洪志斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝，其包含：
第一基板，其包含自該第一基板的表面延伸的第一金屬互連結(jié)構(gòu)，該第一金屬互連結(jié)構(gòu)包括第一尺寸的顆粒(grain)；
第二基板，其包含第二金屬互連結(jié)構(gòu)，該第二金屬互連結(jié)構(gòu)包含第二尺寸的顆粒；及
第三金屬互連結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于該第一金屬互連結(jié)構(gòu)與該第二金屬互連結(jié)構(gòu)之間，該第三金屬互連結(jié)構(gòu)包含：
第三尺寸的顆粒；
第一側(cè)壁，其相對于參考平面傾斜第一角度；及
第二側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第二角度，
其中該第一角度相異于該第二角度，該第一側(cè)壁設(shè)置于該第一基板與該第二側(cè)壁之間，且該第三尺寸小于該第一尺寸與該第二尺寸兩者，
其中該第三金屬互連結(jié)構(gòu)圍繞該第一金屬互連結(jié)構(gòu)之一部份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一尺寸與該第二尺寸實(shí)質(zhì)上相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一尺寸與該第二尺寸相異。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一角度小于該第二角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一金屬互連結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含：第一側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第三角度；第二側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第四角度；及第三側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第五角度，該第三、第四及第五角度彼此相異，該第一金屬互連結(jié)構(gòu)的該第二側(cè)壁設(shè)置于該第一金屬互連結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁與該第一金屬互連結(jié)構(gòu)的該第三側(cè)壁之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第四角度小于該第五角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第二金屬互連結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含：第一側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第六角度；及第二側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第七角度，該第六及第七角度彼此相異。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第六角度小于該第七角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第二金屬互連結(jié)構(gòu)圍繞該第三金屬互連結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第二金屬互連結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第二基板之中。
11.一種半導(dǎo)體封裝，其包含：
第一基板，其包含自該第一基板的表面延伸的第一金屬互連結(jié)構(gòu)；
第二基板，其包含：
第二金屬互連結(jié)構(gòu)；及
第三金屬互連結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于該第一金屬互連結(jié)構(gòu)與該第二金屬互連結(jié)構(gòu)之間，該第三金屬互連結(jié)構(gòu)包含：第一側(cè)壁，其相對于參考平面傾斜第一角度；及第二側(cè)壁，其相對于該參考平面傾斜第二角度，該第一側(cè)壁設(shè)置于該第一基板與該第二側(cè)壁之間，該第一角度相異于該第二角度，
其中該第一金屬互連結(jié)構(gòu)及該第二金屬互連結(jié)構(gòu)界定空間，
其中該第三金屬互連結(jié)構(gòu)圍繞該第一金屬互連結(jié)構(gòu)之一部份。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一角度小于該第二角度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該空間介于該第二金屬互連結(jié)構(gòu)及該第三金屬互連結(jié)構(gòu)之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該空間由該第一金屬互連結(jié)構(gòu)、該第二金屬互連結(jié)構(gòu)及該第三金屬互連結(jié)構(gòu)界定。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該空間具有小于1μm的高度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中該空間具有小于1μm的寬度。
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