[發明專利]發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子設備以及照明裝置

有效

• 申請號: 201710477473.4
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN107359260B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 瀨尾哲史;石曾根崇浩
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 賈成功

1.一種發光裝置，包括：

陽極；

所述陽極上的第一發光層，所述第一發光層包括第一磷光化合物以及第一主體材料；

所述第一發光層上的第二發光層，所述第二發光層包括第二磷光化合物、第一電子傳輸化合物以及第一空穴傳輸化合物；以及

所述第二發光層上的陰極，

其中所述第二磷光化合物的發射波長比所述第一磷光化合物的發射波長長，

其中所述第一主體材料的三重態激發能為所述第一電子傳輸化合物或所述第一空穴傳輸化合物的三重態激發能以上，

其中所述第一電子傳輸化合物和所述第一空穴傳輸化合物形成激基復合物，

其中所述激基復合物的發射光譜與所述第二磷光化合物的最低能量一側的吸收帶重疊，該吸收帶源于從金屬到配體的三重態電荷轉移躍遷。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，

其中所述激基復合物的發射峰值波長和所述第二磷光化合物的最低能量一側的所述吸收帶的峰值波長之間的能量差為0.2eV以下。

3.一種發光裝置，包括：

陽極；

所述陽極上的第一發光層，所述第一發光層包括第一化合物以及第一主體材料；

所述第一發光層上的第二發光層，所述第二發光層包括第二化合物、第一電子傳輸化合物以及第一空穴傳輸化合物；以及

所述第二發光層上的陰極，

其中所述第二化合物的發射波長比所述第一化合物的發射波長長，

其中所述第一主體材料的三重態激發能為所述第一電子傳輸化合物或所述第一空穴傳輸化合物的三重態激發能以上，

其中所述第一電子傳輸化合物和所述第一空穴傳輸化合物形成激基復合物，

其中所述第一化合物和所述第二化合物的至少一者為磷光化合物，

其中所述激基復合物的發射光譜與所述第二化合物的最低能量一側的吸收帶重疊，該吸收帶源于從金屬到配體的三重態電荷轉移躍遷。

4.根據權利要求3所述的發光裝置，

其中所述激基復合物的發射峰值波長和所述第二化合物的最低能量一側的所述吸收帶的峰值波長之間的能量差為0.2eV以下。

5.一種發光裝置，包括：

陽極；

所述陽極上的第一發光層，所述第一發光層包括第一化合物以及第一主體材料；

所述第一發光層上的第二發光層，所述第二發光層包括第二化合物、第一電子傳輸化合物以及第一空穴傳輸化合物；以及

所述第二發光層上的陰極，

其中所述第二化合物的發射波長比所述第一化合物的發射波長長，

其中所述第一主體材料的三重態激發能為所述第一電子傳輸化合物或所述第一空穴傳輸化合物的三重態激發能以上，

其中所述第一電子傳輸化合物和所述第一空穴傳輸化合物形成激基復合物，

其中所述第一化合物和所述第二化合物的至少一者為顯示熱活化延遲熒光的材料，

其中所述激基復合物的發射光譜與所述第二化合物的最低能量一側的吸收帶重疊，該吸收帶源于從金屬到配體的三重態電荷轉移躍遷。

6.根據權利要求5所述的發光裝置，

其中所述激基復合物的發射峰值波長和所述第二化合物的最低能量一側的所述吸收帶的峰值波長之間的能量差為0.2eV以下。

7.一種發光裝置，包括：

陽極；

所述陽極上的第一發光層，所述第一發光層包括顯示熱活化延遲熒光的第一材料以及第一主體材料；

所述第一發光層上的第二發光層，所述第二發光層包括顯示熱活化延遲熒光的第二材料、第一電子傳輸化合物以及第一空穴傳輸化合物；以及

所述第二發光層上的陰極，

其中所述顯示熱活化延遲熒光的第二材料的發射波長比所述顯示熱活化延遲熒光的第一材料的發射波長長，

其中所述第一主體材料的三重態激發能為所述第一電子傳輸化合物或所述第一空穴傳輸化合物的三重態激發能以上，

其中所述第一電子傳輸化合物和所述第一空穴傳輸化合物形成激基復合物，

其中所述激基復合物的發射光譜與所述第二材料的最低能量一側的吸收帶重疊，該吸收帶源于從金屬到配體的三重態電荷轉移躍遷。