[發明專利]一種大功率led芯片集成封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請號: 201710476318.0
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN107248547A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 杜姬芳;王偉;孟勇亮;杜艷芳
• 申請（專利權）人: 鴻寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/50;H01L33/58;H01L25/075
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 肖軍

1.一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于包括：大功率led芯片、基板、圍墻、光學玻璃，所述大功率led芯片貼于基板上，大功率led芯片與電極或大功率led芯片與基板電路層連接，圍墻一側與基板連接，另一側與光學玻璃連接，光學玻璃、圍墻、與基板圍成一完全密封不透氣的空腔，所述大功率led芯片位于該空腔內，該空腔內填充有絕緣導熱的惰性氣體，光學玻璃內摻雜有熒光粉或光學玻璃表面涂有熒光粉層。

2.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于其還包括熒光膠體，大功率led芯片置于熒光膠體之中或者熒光膠體涂覆在大功率led芯片表面，大功率led芯片上方的熒光膠體的厚度小于0.3mm。

3.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于所述基板材料為鋁基板或銅基板或陶瓷基板，基板為單層或者多層。

4.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于所述基板固定大功率led芯片的位置設置有大功率led對接的芯片電路。

5.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于所述光學玻璃具有高透光率，且表面進行粗化處理。

6.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于所述大功率led芯片通過銀膠或錫共晶焊接工藝固定在基板上。

7.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于相鄰大功率led芯片通過導線連接，位于兩端的大功率led芯片通過導線與電極連接。

8.如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構，其特征在于基板與圍墻一體成型。

9.一種采用如權利要求1所述的一種大功率led芯片集成封裝結構的封裝方法，其特征在于包括以下步驟：

基板清洗、烘干；

將圍墻固定在基板上

大功率led芯片分揀、擴晶；

通過銀膠或錫采用共晶焊工藝將大功率led芯片固定在基板上；

在絕緣導熱的惰性氣體的環境中將光學面板與圍墻固定密封連接。