[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710475947.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107546206B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松本雅弘;矢島明;前川和義 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/488 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;閆劍平 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,
具有:
半導(dǎo)體芯片,其具有電極焊盤(pán);以及
導(dǎo)電性導(dǎo)線,其包括與所述電極焊盤(pán)電連接的導(dǎo)線連接部,
所述半導(dǎo)體芯片具有:
下層布線,其形成于所述電極焊盤(pán)的下層;
第一絕緣膜,其覆蓋所述下層布線;
導(dǎo)體連接部,其配置于所述下層布線上方,并且被埋入形成于所述第一絕緣膜的第一開(kāi)口部,且與所述下層布線電連接;以及
第二絕緣膜,其覆蓋所述電極焊盤(pán)的一部分,且形成有規(guī)定所述電極焊盤(pán)的露出部的第二開(kāi)口部,
所述電極焊盤(pán)和所述導(dǎo)體連接部形成為一體,
所述第二開(kāi)口部具有沿著相鄰的兩個(gè)邊中的一邊的第一虛擬線與沿著另一邊的第二虛擬線交叉的交點(diǎn)、位于與所述交點(diǎn)相距所述導(dǎo)線連接部的俯視時(shí)的半徑的距離處的所述第一虛擬線上的第一點(diǎn)、以及位于與所述交點(diǎn)相距所述半徑的距離處的所述第二虛擬線上的第二點(diǎn),還具有由連結(jié)所述交點(diǎn)與所述第一點(diǎn)的第一線段、連結(jié)所述交點(diǎn)與所述第二點(diǎn)的第二線段、以及連結(jié)所述第一點(diǎn)與所述第二點(diǎn)且朝向所述交點(diǎn)成為凸?fàn)畹膱A弧構(gòu)成的第一區(qū)域,
所述導(dǎo)線連接部與所述電極焊盤(pán)的所述第二開(kāi)口部中的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域連接,
形成于所述導(dǎo)體連接部正上方的所述電極焊盤(pán)的表面的凹部的一部分在俯視時(shí)與所述第一區(qū)域重疊,
所述凹部的其他部分在俯視時(shí)與所述第二絕緣膜重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述導(dǎo)體連接部在俯視時(shí)跨過(guò)所述第一區(qū)域、和所述第一區(qū)域的外側(cè)的形成有所述第二絕緣膜的絕緣膜區(qū)域而配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述導(dǎo)體連接部在俯視時(shí)配置于所述第一區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述導(dǎo)電性導(dǎo)線包括以銅為主成分的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述電極焊盤(pán)包括以銅為主成分的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述電極焊盤(pán)包括以鋁為主成分的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在所述電極焊盤(pán)與所述導(dǎo)線連接部之間配置有鈀層、金層或鎳層中的至少一個(gè)合金層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述凹部的深度為0.5μm以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在俯視下,所述第一開(kāi)口部與所述第二開(kāi)口部重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述第二絕緣膜配置于所述第一絕緣膜的表面上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在俯視下,所述凹部位于所述第二開(kāi)口部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在俯視下,所述凹部整體位于所述導(dǎo)電性導(dǎo)線的所述導(dǎo)線連接部的外側(cè)。
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