[發明專利]一種LED的制備方法及LED

在審

• 申請號: 201710475725.X
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN107275464A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 程鑫;陳銘
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/58
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術領域

本發明實施例涉及LED技術領域，尤其涉及一種LED的制備方法及LED。

背景技術

LED屬于固態的半導體器件，可以把電能轉化為光能。白光LED具有體積小、光效高、壽命長、環保等優點，現在已經廣泛應用于照明領域。目前最常用的獲取白光的LED的方法是利用高能量的藍光LED芯片激發黃光熒光粉，產生黃光，通過藍光和黃光的混合從而產生白光。LED是電光轉換的器件，因而電光轉化效率對白光LED器件尤為重要。尤其是目前白光LED已經大量用于照明，提高白光LED的出光效率對節能環保具有重大的意義。

但是，傳統點摻雜熒光粉的硅膠到藍光LED的封裝方法中，熒光粉層攤開并固化后是平面，大量的光由于全內反射的作用被限制在硅膠內部。相對于空氣-硅膠介質層而言，只有一小部分入射角度較小的光可以發射到外部。由于光的全反射作用，利用硅膠封裝后白光LED的取光效率存在一定的限制。

發明內容

本發明提供一種LED的制備方法及LED，以提高LED的出光效率。

第一方面，本發明實施例提供了一種LED的制備方法，該方法包括：

利用微納加工技術制作具有微納結構的母板；

采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜；

將所述高分子薄膜覆蓋于點好硅膠的LED器件的硅膠上；

待所述硅膠固化之后取下所述高分子薄膜，與所述高分子薄膜上的微納圖案互補的圖案留在所述LED器件的硅膠表面。

優選地，所述將所述高分子薄膜覆蓋于點好硅膠的LED器件的硅膠上之前，還包括：

制作點好硅膠的LED器件。

優選地，所述制作點好硅膠的LED器件，包括：固晶；焊線；和點膠。

優選地，所述利用微納加工技術制作具有微納結構的母板，包括：

利用微納加工技術在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案；或

利用微納加工技術在石英襯底上制作反微球陣列圖案。

優選地，所述利用微納加工技術在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案，包括：

利用光刻方法在所述硅襯底上的二氧化硅層制作陣列排列的方孔；

利用帶有陣列排列的方孔的所述二氧化硅層作為掩膜，在KOH溶液中濕法刻蝕所述硅襯底，在所述硅襯底上形成反金字塔陣列圖案；

在BOE溶液中除去所述硅襯底上的二氧化硅層。

優選地，所述利用微納加工技術在石英襯底上制作反微球陣列圖案，包括：

利用光刻方法和剝離技術在所述石英襯底上制作Cr金屬圖案層；

利用所述Cr金屬圖案層作為掩膜，在BOE溶液中濕法刻蝕所述石英襯底，在所述石英襯底上形成反微球陣列圖案；

去除所述石英襯底上的Cr金屬圖案層。

優選地，所述采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：

利用納米壓印技術將與所述母板上的微納結構互補的微納圖案轉移到高分子薄膜上。

優選地，所述采用所述母板制作具有微納圖案的高分子薄膜，包括：

采用所述母板制作與其微納結構互補的模板；

利用納米壓印技術將與所述模板上的圖案互補的微納圖案轉移到所述高分子薄膜。

優選地，所述采用所述母板制作與其微納結構互補的模板，包括：

在具有微納結構的所述母板上蒸鍍一層Ni金屬；

利用電鍍方法生長Ni金屬層；

將電鍍后的所述Ni金屬層揭下來作為Ni模板。

第二方面，本發明實施例還提供了一種LED，該LED由第一方面所述的方法制備而成。

本發明利用圖形轉移的方法在LED的硅膠表面制作微納結構，在一定程度上打破光的全內反射，使得更多的光可以發射出來，提高LED的取光效率，使得封裝后的LED更加節能。

附圖說明

圖1為本發明實施例一中的一種LED的制備方法的流程圖；

圖2A-圖2F是本發明中的利用微納加工技術在硅襯底上制作反金字塔陣列圖案的過程示意圖；

圖3A-圖3B是圖2F的俯視圖；

圖4A-圖4F是本發明中的利用微納加工技術在石英襯底上制作反微球陣列圖案的過程示意圖；

圖5A-圖5B是圖4F的俯視圖；

圖6A-圖6B是本發明中將硅母板上的反金字塔陣列圖案轉移到高分子薄膜上的過程示意圖；

圖7A-圖7B是本發明中將石英母板上的反微球陣列圖案轉移到高分子薄膜上的過程示意圖；