[發明專利]一種有機發光二極管顯示面板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710474903.7 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN109103215B | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 王輝鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光二極管 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種有機發光二極管顯示面板及其制作方法、顯示裝置,用以避免由于陰極電阻較大,導致OLED顯示面板的亮度均勻性較差的問題。所述有機發光二極管顯示面板,包括:襯底基板;設置在所述襯底基板之上的陽極和輔助電極,所述陽極和所述輔助電極相互絕緣;設置在所述陽極和輔助電極之上的像素定義層,所述像素定義層具有露出所述陽極的像素開口區域和具有露出所述輔助電極的過孔,所述像素開口區域使所述像素定義層的邊緣與所述陽極之間呈鈍角,所述過孔使所述像素定義層的邊緣與所述輔助電極之間呈銳角;依次設置在所述像素定義層之上的發光層和陰極;所述陰極與設置在所述過孔內的輔助電極電性連接。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種有機發光二極管顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
在平板顯示面板中,有機發光二極管(Organic Light Emitting Display,OLED)顯示面板因具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點而得到人們的廣泛重視。
一般地,針對頂發射型的OLED發光器件,為了增大光的透過率,陰極需要采用較薄的透明導電材料,但較薄的透明陰極方阻很大,電流流過陰極時會產生較大的壓降,因此,距離電源供給點越遠的像素上獲得的陰極電壓越小,導致該像素的顯示亮度相比于距離電源供給點較近的像素的顯示亮度低,從而使得OLED顯示裝置的亮度均勻性變差。
發明內容
本發明提供了一種有機發光二極管顯示面板及其制作方法、顯示裝置,用以避免由于陰極電阻較大,導致OLED顯示面板的亮度均勻性較差的問題。
一種有機發光二極管顯示面板,所述顯示面板包括:
襯底基板;
設置在所述襯底基板之上的陽極和輔助電極,所述陽極和所述輔助電極相互絕緣;
設置在所述陽極和輔助電極之上的像素定義層,所述像素定義層具有露出所述陽極的像素開口區域和具有露出所述輔助電極的過孔,所述像素開口區域使所述像素定義層的邊緣與所述陽極之間呈鈍角,所述過孔使所述像素定義層的邊緣與所述輔助電極之間呈銳角;
依次設置在所述像素定義層之上的發光層和陰極;所述陰極與設置在所述過孔內的輔助電極電性連接。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述有機發光二極管顯示面板中,所述陰極包括與所述發光層接觸的陰極金屬層和設置在所述陰極金屬層之上的陰極透明導電層;其中,
設置在所述過孔內的所述陰極金屬層與設置在所述過孔兩側的所述陰極金屬層不連續,設置在所述過孔內的所述陰極透明導電層與設置在所述過孔兩側的所述陰極透明導電層連續,且所述陰極透明導電層填充至所述過孔的銳角處,使得所述陰極透明導電層與所述過孔內的輔助電極接觸。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述有機發光二極管顯示面板中,所述陰極透明導電層的厚度大于所述陰極金屬層的厚度。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述有機發光二極管顯示面板中,所述陰極金屬層的厚度為1-30nm。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述有機發光二極管顯示面板中,所述陰極透明導電層的厚度為10-1000nm。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述有機發光二極管顯示面板中,所述輔助電極與所述陽極的材料相同且同層設置。
相應地,本發明實施例還提供了一種有機發光二極管顯示裝置,包括本發明實施例提供的上述任一種的有機發光二極管顯示面板。
相應地,本發明實施例還提供了一種有機發光二極管顯示面板的制作方法,該方法包括:
在襯底基板上形成陽極和輔助電極的圖案,所述陽極和輔助電極相互絕緣;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





