[發明專利]非易失性存儲器、包括存儲器的系統和控制存儲器的方法在審
| 申請號: | 201710474796.8 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN108022618A | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | F·E·C·迪塞格尼;M·F·佩羅尼;C·托爾蒂;M·馬焦利尼 | 申請(專利權)人: | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 意大利阿格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 包括 存儲器 系統 控制 方法 | ||
1.一種非易失性存儲器(10,20),包括:
-多個位線(BL<n:0>);
-多個源極線(4);
-多個非易失性類型的存儲器單元(3),每個存儲器單元(3)耦合在相應的位線(BL<n:0>)與相應的源極線(4)之間;
-一個或多個放電線(44),所述一個或多個放電線耦合至參考電壓端子(GND);以及
-多個受控開關(46),所述多個受控開關耦合在相應的源極線(4)與相應的放電線(44)之間、可被選擇性地控制以用于將所述相應的源極線(4)連接至所述相應的放電線(44),以便在所述相應的源極線(4)與所述參考電壓端子(GND)之間形成導電路徑。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器,進一步包括多個字線(WL<m:0>),其中,耦合至同一個源極線(4)的所述存儲器單元(3)和所述受控開關(46)此外可操作地耦合至相同的字線(WL<m:0>),所述相同的字線不同于與所述其他存儲器單元(3)以及所述其他受控開關(46)耦合的字線(WL<m:0>),
其中,可以選擇性地偏置每個字線(WL<m:0>)以使得能夠對所述相應的存儲器單元(3)進行編程/讀取,并且同時接通所述相應的受控開關(46)。
3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器,其中,所述受控開關(46)是具有控制端子(G)的晶體管,所述控制端子在接通狀態下以及替代性地在斷開狀態下通過相應的字線(WL<m:0>)而被驅動。
4.根據以上權利要求中任一項所述的非易失性存儲器,其中,所述存儲器單元(3)包括設置有電阻加熱器的相變元件(3a)以及選擇器件(3b),
并且其中,所述加熱器元件以及所述選擇器件連接在相應的位線(BL<n:0>)與相應的源極線(4)之間,從而使得當所述選擇器件(3b)處于接通狀態時,電流在所述相應的位線(BL<n:0>)與源極線(4)之間流過所述加熱器。
5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器,其中,所述選擇器件(3b)是N型MOS晶體管,該N型MOS晶體管具有耦合至所述存儲器單元(3)的所述加熱器的漏極端子(D)以及耦合至所述源極線(4)的源極端子(S),
并且其中,所述受控開關(46)是N型MOS,該N型MOS具有經由所述放電線(44)耦合至所述參考電壓端子(GND)的漏極端子(D)以及耦合至所述源極線(4)的源極端子(S)。
6.根據以上權利要求中任一項所述的非易失性存儲器,其中,所述放電線(44)與所述位線(BL<n:0>)并聯安排,并且所述源極線(4)在橫向于所述位線的方向上延伸。
7.一種電子設備(50),包括根據權利要求1至6中任一項所述的非易失性存儲器(10,20)。
8.根據權利要求7所述的電子設備,所述電子設備選自:PDA(個人數字助理);便攜式計算機;便攜式電話;智能電話;數字音頻播放器;攝影機和/或攝像機。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體股份有限公司,未經意法半導體股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710474796.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





