[發(fā)明專利]層疊體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710472880.6 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN107521169B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 緒方俊彥;橋脅弘樹;村上力 | 申請(專利權(quán))人: | 住友化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | B32B3/24 | 分類號: | B32B3/24;B32B27/08;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/20;B32B33/00;H01M2/16;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 層疊 | ||
1.一種層疊體,是包含以聚烯烴系樹脂為主成分的多孔基材、和層疊于所述多孔基材的至少一面的含有聚偏氟乙烯系樹脂的多孔層的層疊體,
所述多孔基材由在頻率10Hz、溫度90℃下的粘彈性測定中得到的MD的tanδ即MDtanδ和TD的tanδ即TDtanδ根據(jù)下式計算的參數(shù)X為20以下,
X=100×|MDtanδ-TDtanδ|÷{(MDtanδ+TDtanδ)÷2}
并且,在將所述聚偏氟乙烯系樹脂中的α型晶體與β型晶體的含量的合計設(shè)為100摩爾%的情況下,所述α型晶體的含量為36摩爾%以上;
這里,α型晶體的含量由所述多孔層的IR光譜的765cm-1附近的吸收強度算出,β型晶體的含量由所述多孔層的IR光譜的840cm-1附近的吸收強度算出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體,其中,
所述聚偏氟乙烯系樹脂為偏氟乙烯的均聚物、和/或偏氟乙烯與選自六氟丙烯、四氟乙烯、三氟乙烯、三氯乙烯、以及氟乙烯中的至少1種單體的共聚物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體,其中,
所述聚偏氟乙烯系樹脂的重均分子量為20萬以上且300萬以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊體,其中,
所述聚偏氟乙烯系樹脂的重均分子量為20萬以上且300萬以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的層疊體,其中,
所述多孔層包含填料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊體,其中,
所述填料的體積平均粒徑為0.01μm以上且10μm以下。
7.一種非水電解液二次電池用構(gòu)件,依次配置正極、權(quán)利要求1~6中任一項所述的層疊體、以及負(fù)極而成。
8.一種非水電解液二次電池,包含權(quán)利要求1~6中任一項所述的層疊體作為間隔件。
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- 專利分類
B32B 層狀產(chǎn)品,即由扁平的或非扁平的薄層,例如泡沫狀的、蜂窩狀的薄層構(gòu)成的產(chǎn)品
B32B3-00 實質(zhì)上由帶有外部或內(nèi)部不連續(xù)的或不平整的薄層,或非平面形狀的薄層構(gòu)成的層狀產(chǎn)品
B32B3-02 .以特定位置的形狀特征為特征的,如邊緣部位
B32B3-10 .以不連續(xù)的薄層為特征的,即帶孔的或間隔的材料片形成的
B32B3-26 .以連續(xù)薄層的截面的特殊輪廓形狀為特征的;以帶有空穴或內(nèi)部空隙的薄層為特征的
B32B3-28 ..以包含變形薄板的薄層為特征的,如瓦楞薄板、皺紋薄板
B32B3-30 ..以和凹窩或凸塊組成的薄層為特征的,如有凹槽的或帶肋的薄層





