[發(fā)明專利]一種采用lift-off原理制作方形光柵的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710472796.4 | 申請日： | 2017-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN107024730B | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 梁萬國;李廣偉;張新漢;陳懷熹;繆龍;馮新凱;鄒小林 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建中科晶創(chuàng)光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 福州科揚專利事務(wù)所 35001 | 代理人： | 羅立君 |
| 地址： | 350100 福建省福州市閩侯縣上街鎮(zhèn)科技東路中*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 采用 lift off 原理 制作 方形 光柵 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種采用lift?off原理制作方形光柵的方法，包括以下依序進行的步驟：①對方形基片進行清潔；②真空旋轉(zhuǎn)涂膠，使用真空涂膠機對方形基片進行涂膠，膠液通過旋轉(zhuǎn)離心力均勻分散涂抹在方形基片表面；③熱板平移烘干，在真空環(huán)境下采用平行基片的熱板對完成步驟②的方形基片的膠液進行烘干；④對完成步驟③的基片進行全息曝光和顯影；⑤ICP刻蝕，對完成步驟④的基片進行刻蝕；⑥鍍膜，使用鍍膜夾具夾住方形基片，在鍍膜機中對完成步驟⑤的基片進行鍍膜；⑦膠合，對完成步驟⑥后的基片進行紫外膠膠合；⑧分離，紫外固化結(jié)束后，采用子母光柵分離裝置將母光柵和子光柵基片進行分離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種采用lift-off原理制作方形光柵的方法，屬于光柵加工領(lǐng)域。
背景技術(shù)
光柵作為一種優(yōu)良的色散元件，在光通信領(lǐng)域，光譜分析領(lǐng)域得到了廣泛的運用。近年來，特別是光刻法全息光柵工藝的出現(xiàn)和完善，大大提高了光柵的制作效率和光柵質(zhì)量。使光柵得以在更廣泛的領(lǐng)域里發(fā)揮作用。
近年來光刻法制作全息光柵工藝得到大力的發(fā)展，光刻工藝和光柵復(fù)制工藝都在不斷的完善，但目前依然存在一定的局限性。采用光刻法制作全息光柵的大致工藝流程為：涂膠——曝光——顯影——刻蝕。采用這種全息工藝，依然存在至少兩類問題，一類是采用離子束刻蝕的方法進行刻蝕，刻蝕速率很低，生產(chǎn)效率低下。另一類問題是該工藝的穩(wěn)定性較差，導(dǎo)致產(chǎn)品的穩(wěn)定性較差。
美國專利局公告的專利《Blazed holographic grating, method forproducingthe same and replica grating》(《閃耀全息光柵，及復(fù)制光柵的方法》，專利號：US7455957 B2)公開了一種復(fù)制光柵的方法，其復(fù)制過程是：先在母光柵表面噴涂上一層脫模劑，然后再在脫模層上鍍一層金屬膜；之后采用一種熱塑性粘結(jié)劑將復(fù)制光柵基片和金屬膜層粘結(jié)在一起；最后在脫模劑層上，將母光柵和復(fù)制光柵分開，得到所復(fù)制的光柵。
這種復(fù)制光柵的方法主要運用在閃耀光柵上的復(fù)制，但這種復(fù)制光柵的方法需要先在母光柵上噴涂一層脫膜劑，脫膜劑的使用，容易污染模板光柵及所鍍的膜層，長期會導(dǎo)致光柵母版質(zhì)量的下降。并且按照這種復(fù)制方法，需要將復(fù)制后的光柵按照實際使用的尺寸進行切割，對于小數(shù)量的光柵需求來說，按照這種復(fù)制后再切割的工藝，不會造成太大的時間浪費，但是對于大批量的光柵需求來說，切割過程所占用的時間，對于光柵的生產(chǎn)效率來說，影響明顯。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種采用lift-off原理制作方形光柵的方法。該采用lift-off原理制作方形光柵的方法可以有效提高方形基片光柵的加工精度和加工質(zhì)量，提高生產(chǎn)合格率。本發(fā)明提出一種采用Lift-Off 原理制作光柵的方法，適用于全息光柵的復(fù)制，有利于控制光柵衍射效率及產(chǎn)品生產(chǎn)效率。
一種采用lift-off原理制作方形光柵的方法，包括以下依序進行的步驟：
①對方形基片進行清潔；
②真空旋轉(zhuǎn)涂膠，使用真空涂膠機對方形基片進行涂膠，膠液通過旋轉(zhuǎn)離心力均勻分散涂抹在方形基片表面；
③熱板平移烘干，在真空環(huán)境下采用平行基片的熱板對完成步驟②的方形基片的膠液進行烘干；
④對完成步驟③的基片進行全息曝光和顯影；
⑤ICP刻蝕，對完成步驟④的基片進行刻蝕；
⑥鍍膜，使用鍍膜夾具夾住方形基片，在鍍膜機中對完成步驟⑤的基片進行鍍膜；
⑦膠合，對完成步驟⑥后的基片進行紫外膠膠合；
⑧分離，紫外固化結(jié)束后，采用子母光柵分離裝置將母光柵和子光柵基片進行分離。
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