[發明專利]一種黑櫻桃的嫁接方法在審
| 申請號: | 201710471729.0 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN107094510A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | 吳長國;吳洪凱;劉蔓;何世琴 | 申請(專利權)人: | 普定縣綠源苗業開發有限公司 |
| 主分類號: | A01G1/06 | 分類號: | A01G1/06;A01G9/10;A01N65/20;A01N43/38;A01P21/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 櫻桃 嫁接 方法 | ||
技術領域
本發明屬于嫁接技術領域,尤其是一種黑櫻桃的嫁接方法。
背景技術
櫻桃果實外表色澤鮮艷、晶瑩美麗,富含糖、蛋白質、維生素及鈣、鐵、磷、鉀等多種元素,營養豐富,其鐵的含量較高,每百克櫻桃中含鐵量多達59毫克,居于水果首位,受到廣大群眾的青睞,并且適合我國種值。
傳統的嫁接方法,普遍采用切接、劈接、插皮舌接等,但是在實際應用中,存在較多缺陷:一是果樹成活率不高,二是嫁接部位當年不能愈合,三是封蠟過程中蠟層容易破裂、脫落而降低成活率;還有就是砧木傷流液過多傷害接穗、常規包扎影響愈傷組織形成等情況均會不同程度出現,這些缺陷都導致了嫁接成活率較低,同時,專利號CN201410236412.5公開了一種櫻桃嫁接方法,采用野生櫻桃作為砧木進行嫁接,通過砧木的選擇與處理、接穗的采集與處理、嫁接操作、水肥管理四個步驟完成,但其嫁接成活率和成苗率不高,因此本發明在其技術方案上進行改進,并結合本發明愈合劑的使用,進而使得櫻桃嫁接的成活率和成苗率得到有效的提高。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種黑櫻桃的嫁接方法。
具體是通過以下技術方案得以實現的:
一種黑櫻桃的嫁接方法,包括以下步驟:
(1)砧木的選擇:選擇在-15~0℃不凍害、根系發達,耐鹽堿、早果性強且豐產的馬哈利樹為砧木,在嫁接前20~30d在距離地面5~8cm處削成3.1~3.6cm長的斜面,在削面頂端1/4處順著枝條往下劈處長為1.5~2cm的劈口,呈舌狀,每日對砧木進行澆水和消毒處理,涂膜愈合劑,維持砧木的生長溫度為20~25℃;
(2)接穗處理:選擇1年生無病蟲害的黑櫻桃枝條,于當年2~3月未萌發芽前進行采集,并剪取枝葉,在接穗芽下背面削3.1~3.6cm長的斜面,劈口與切砧木一致,并對兩劈口用消毒劑進行處理,將處理完成的接穗枝條兩端用濕布包扎,20~25℃保存1~3h后進行嫁接;
(3)嫁接:將接穗劈口插入砧木劈口中,使砧木和接穗舌狀交叉起來,然后對準形成層,向內插緊接穗,接穗芽眼處包扎一層薄膜,薄膜厚度為0.006~0.008mm,再用塑料袋套住保濕,維持塑料袋內的濕度為91~95%,維持塑料袋內的溫度為24~26℃,嫁接35~40d后解綁并移除塑料袋,每隔3~6d及時抹去砧木萌發的新芽,直至接穗新稍長到30~40cm時,再采用塑料薄膜條綁扎;
(4)水肥管理:先噴灑清水,待長勢穩定后再施肥處理。
所述愈合劑原料以重量百分比計計為6-BA40~50%、海桐皮提取物10~15%份、吲哚-3-乙酸3~6%,余量為乙醇。
所述海桐皮提取物時通過將海桐皮粉碎至160~180目后,采用超聲波進行提取,以水為溶劑,用量為海桐皮重量的6~8倍,且超聲波頻率為22~28KHz,提取溫度為45~50℃,提取3次得到提取液,干燥至粉末即可。
所述消毒劑為濃度為85~90%的酒精。
所述步驟(4)所述肥料中氮含量為13~15%、五氧化二磷含量為20~25%、氧化鉀含量為16~20%。
本發明有益效果:
本發明通過砧木的選擇、接穗處理、嫁接、水肥管理四個步驟完成黑櫻桃的嫁接,改變傳統的嫁接方法,采用馬哈利樹作為砧木,并對嫁接過程中參數進行合理的調控,再結合愈合劑和消毒劑的使用,使得嫁接處愈合完整、快速,進而縮短嫁接周期,提高嫁接的質量,并且嫁接后黑櫻桃的存活率和成苗率顯著的提高。
效果驗證:以本發明方案嫁接方法作為實驗組,專利CN201410236412.5的嫁接方法為對照組,于2009年4月完成嫁接,于10月中旬對兩組的成活率、成苗率和生長量進行統計分析,結果如下表:
由實驗結果可知,采用本發明方案的嫁接效果顯著高于對照組,其中成活率高于對照組6.7%,成苗率高于對照組6%。
具體實施方式
下面結核具體的實施方式來對本發明的技術方案做進一步的限定,但要求保護的范圍不僅局限于所作的描述。
實施例1
一種黑櫻桃的嫁接方法,包括以下步驟:
(1)砧木的選擇:選擇在-15℃不凍害、根系發達,耐鹽堿、早果性強且豐產的馬哈利樹為砧木,在嫁接前20d在距離地面5cm處削成3.1cm長的斜面,在削面頂端1/4處順著枝條往下劈處長為1.5cm的劈口,呈舌狀,每日對砧木進行澆水和消毒處理,涂膜愈合劑,維持砧木的生長溫度為20℃;
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