[發明專利]存儲器刷新方法及設備

有效

• 申請號: 201710470081.5
• 申請日: 2012-08-28
• 公開（公告）號: CN107402832B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 格雷格·A·布羅杰特
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G06F11/10;G06F11/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本發明揭示例如涉及以下操作的設備及存儲器刷新方法的設備及存儲器刷新方法：響應于存儲器裝置被通電而檢查所述存儲器裝置的一部分以找出錯誤；及如果在檢查非易失性存儲器的所述部分以找出錯誤時找到錯誤，那么將經校正數據重新編程到所述存儲器裝置。本發明揭示其它設備及存儲器刷新方法。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2012年8月28日、申請號為201280048444.1、發明名稱為“存儲器刷新方法及設備”的發明專利申請案。

優先權申請案

本申請案主張2011年8月31日提出申請的第13/222,282號美國申請案的優先權權益，所述美國申請案的全文以引用方式并入本文中。

背景技術

各種計算機系統及電子裝置使用非易失性存儲器。換句話說，所述存儲器在電力斷開連接時不丟失所存儲數據。這些非易失性存儲器可進行重新編程、讀取及電擦除且非常適于存儲各種數據，例如數字音頻播放器中的音樂、數碼相機中的圖片及蜂窩式電話中的配置數據。此類存儲器包含通常稱為快閃存儲器的裝置，如此命名部分是因為使用快閃操作來在將存儲器單元的塊重新編程之前擦除其內容。此類型的存儲器通常封裝成用于消費者使用的產品，例如CompactFlash存儲器卡、USB快閃存儲器裝置及其它此類裝置。

快閃存儲器通常包括各自可編程為至少兩個數據狀態中的一者的若干個單元，其中每一數據狀態可表示一數據值，例如數據的一或若干數字(例如，位)。典型快閃存儲器單元包括場效應晶體管，其具有控制存儲器單元的源極與漏極區域之間的電傳導的電隔離的電荷存儲結構(例如浮動柵極或電荷陷阱)。數據由存儲于電荷存儲結構上的電荷及在源極與漏極區域之間觀察到的所產生導電性改變表示。

電荷存儲結構將存儲器單元的控制柵極與源極及漏極區域分離。存儲于電荷存儲結構上的電子通過電介質材料(例如隧道氧化物)與控制柵極以及漏極及源極電絕緣。當通過將所規定電壓置于控制柵極上而讀取存儲器單元時，裝置的源極與漏極之間的電阻抗將允許或不允許電流流動，此取決于存儲器單元的有效閾值電壓(Vt)。所存儲電荷部分地抵消或修改由控制柵極產生的電場，從而導致存儲器單元的有效閾值電壓(Vt)的改變。可感測是否存在響應于施加到控制柵極的特定電壓的電流且使用所述電流來確定存儲器單元是否處于表示特定數據值(例如一或零值)的特定數據狀態中。

一些快閃存儲器單元可編程為三個或三個以上數據狀態中的一者，且通常稱為多電平存儲器單元。舉例來說，可編程為四個狀態中的任一者的多電平存儲器單元可每單元存儲數據的兩個位，借此使可存儲的數據量相對于常規單位存儲器單元加倍。

存儲器單元通常布置成二維行與列陣列，其中一行中的存儲器單元經由存取線(通常稱作字線)耦合，且一列中的存儲器單元耦合到數據線(通常稱作位線)。字線及位線在數據讀取及編程功能期間用來選擇特定存儲器單元進行讀取或選擇特定存儲器單元進行編程(有時稱為“寫入”)。

存儲器單元易受可影響所存儲數據的準確性的各種因素影響，例如宇宙射線、讀取誘發的干擾及可更改存儲于快閃存儲器單元的電荷存儲結構上的電荷的其它因素。感應電場或磁場、電容性耦合以及導體及絕緣體的有限電阻也可致使位線與字線之間的不希望的耦合或干擾。

這些因素中的任一者可減小讀取存儲器單元的準確性。例如這些因素的因素可在每存儲器單元具有兩個以上可能數據狀態的多電平存儲器中甚至更重要，這是因為隨著可能數據狀態的數目增加鄰近數據狀態之間的差異變得更難以準確地辨別。

附圖說明

圖1是可用于實踐本發明的一些實施例的非易失性存儲器單元的橫截面圖。

圖2是與本發明的一些實施例一致的NAND快閃存儲器配置中的非易失性存儲器單元串的示意圖。