[發明專利]監控一層絕緣介質涂布制程的方法及其在WAT Layout結構的應用

有效

• 申請號: 201710469920.1
• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN107481949B
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 陳國基;張瓊蓮
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 連耀忠;楊鍇

1.一種監控一層絕緣介質涂布制程的方法，其特征在于，用于監控盤繞成連續“S”型的盤繞通孔鏈中，兩層導電層之間設置兩層絕緣介質層中的一層絕緣介質層是否正常作業；設置與盤繞通孔鏈并聯的監控通孔鏈，監控通孔鏈依次設置有第一導電層、第二導電層，盤繞通孔鏈的兩層絕緣介質層延伸至第一導電層、第二導電層之間；在第一導電層、第二導電層于厚度方向重疊的范圍內，受監控的絕緣介質層封閉不開孔，另一層不受監控的絕緣介質層開設有通孔，第一導電層與第二導電層之間通過封閉不開孔的絕緣介質層進行隔斷；

接入測試電流，分別檢測盤繞通孔鏈、監控通孔鏈中的電流有無；如果盤繞通孔鏈中有電流，監控通孔鏈中無電流，則判定為受監控的絕緣介質層正常作業；如果盤繞通孔鏈中無電流，監控通孔鏈兩端中有電流，則判定為受監控的絕緣介質層缺失作業。

2.根據權利要求1所述的監控一層絕緣介質涂布制程的方法，其特征在于，當受監控的絕緣介質層正常作業時，則監控通孔鏈的第一導電層與第二導電層斷路，監控通孔鏈中無電流，電流流經盤繞通孔鏈；當受監控的絕緣介質層缺失作業，則監控通孔鏈的第一導電層與第二導電層導通，盤繞通孔鏈兩端通過監控通孔鏈短接，盤繞通孔鏈中無電流，電流流經監控通孔鏈。

3.根據權利要求1所述的監控一層絕緣介質涂布制程的方法，其特征在于，如果存在多對的兩層導電層，且每對的兩層導電層之間設置兩層絕緣介質層，則可對應每對的兩層導電層設置一個監控通孔鏈，監控兩層絕緣介質層中的一層絕緣介質層是否正常作業。

4.一種便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，包括在晶圓上鋪設盤繞成連續“S”型的盤繞通孔鏈，盤繞通孔鏈相鄰的下導電層與上導電層之間涂布有通孔層、Ploymide涂層，通孔層與Ploymide涂層開設有相對的通孔，下導電層與上導電層之間通過通孔連接導通；其特征在于，基于權利要求1至3任一項所述的方法，盤繞通孔鏈在連續“S”型的拐角的一側并聯有監控通孔鏈，監控通孔鏈依次設置有第一導電層、第二導電層，通孔層與Ploymide涂層延伸至第一導電層、第二導電層之間；在第一導電層、第二導電層于厚度方向重疊的范圍內，通孔層開設有通孔，Ploymide涂層封閉不開孔，第一導電層與第二導電層之間通過Ploymide涂層進行隔斷。

5.根據權利要求4所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，監控通孔鏈的監控電流接入端與盤繞通孔鏈的測試電流接入端相通，監控通孔鏈的監控電流接出端與盤繞通孔鏈的測試電流接出端相通。

6.根據權利要求4所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，監控通孔鏈的長度覆蓋盤繞通孔鏈的盤繞跨度，每行盤繞通孔鏈朝向監控通孔鏈的一端與監控通孔鏈連通。

7.根據權利要求4或5所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，監控通孔鏈的監控電流接入端與盤繞通孔鏈的測試電流接入端共用電流接入端口，監控通孔鏈的監控電流接出端與盤繞通孔鏈的測試電流接出端共用電流接出端口。

8.根據權利要求7所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，電流接入端口與電流接出端口通過盤繞通孔鏈的上導電層接出。

9.根據權利要求4所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，相鄰行的盤繞通孔鏈在連續“S”型的拐角通過上導電層連接，監控通孔鏈的第二導電層與連續“S”型的拐角位置的上導電層連通。

10.根據權利要求9所述的便于監控Ploymide涂布制程的WAT Layout結構，其特征在于，監控通孔鏈的第二導電層與盤繞通孔鏈共用連續“S”型的拐角位置的上導電層。