[發明專利]用PECVDSiO2鈍化保護制造銦鎵鋅氧化物和氧化鋅薄膜晶體管的方法

在審

• 申請號: 201710469679.2
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN107293494A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: J·J·陳;崔壽永;任東吉;Y·葉
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 金紅蓮

1.一種形成薄膜晶體管的方法，包括:

在薄膜晶體管中的基板上沉積有源層；

在所述有源層上形成源極電極和漏極電極，其中所述有源層的一部分暴露；以及

利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述有源層上沉積一個或更多鈍化層。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述有源層包括選自由氧化鋅、銦鎵鋅氧化物及其組合所組成的群組的材料。

4.如權利要求1所述的方法，其中在約150攝氏度和約270攝氏度之間的溫度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

5.如權利要求4所述的方法，其中在約0.083W/cm²和約1.0W/cm²之間的功率密度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

6.如權利要求5所述的方法，其中在約0.8托耳和約2.5托耳之間的壓力下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述等離子體是N₂O等離子體或O₂等離子體。

8.一種形成薄膜晶體管的方法，包括:

在基板上沉積有源層；

在所述有源層上沉積導電層；

對所述導電層進行圖案化以形成源極電極和漏極電極，其中所述有源層的一部分暴露；以及

利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

9.如權利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述有源層上沉積一個或更多鈍化層。

10.如權利要求8所述的方法，其中所述有源層包括選自由氧化鋅、銦鎵鋅氧化物及其組合所組成的群組的材料。

11.如權利要求8所述的方法，其中在約150攝氏度和約270攝氏度之間的溫度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

12.如權利要求11所述的方法，其中在約0.083W/cm²和約1.0W/cm²之間的功率密度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

13.如權利要求12所述的方法，其中在約0.8托耳和約2.5托耳之間的壓力下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述等離子體是N₂O等離子體或O₂等離子體。

15.一種形成薄膜晶體管的方法，包括:

在基板上形成柵極電極；

在所述柵極電極和所述基板上沉積柵極介電層；

在所述柵極介電層上沉積銦鎵鋅氧化物有源層；

在所述有源層上沉積導電層；

移除所述導電層的至少一部分以形成源極電極和漏極電極且以便通過暴露所述有源層的一部分來形成有源溝道；

利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分來形成經等離子體處理的有源溝道；以及

在所述經等離子體處理的溝道上沉積一個或更多鈍化層或蝕刻停止層。

16.如權利要求15所述的方法，其中在約150攝氏度和約270攝氏度之間的溫度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

17.如權利要求16所述的方法，其中在約0.083W/cm²和約1.0W/cm²之間的功率密度下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

18.如權利要求17所述的方法，其中在約0.8托耳和約2.5托耳之間的壓力下，利用來自等離子體的氧來修復所述有源層的所述一部分。

19.如權利要求15所述的方法，其中所述等離子體是N₂O等離子體或O₂等離子體。

20.如權利要求15所述的方法，其中所述一個或更多鈍化層或蝕刻停止層包括TiO₂或氧化硅。