[發明專利]有機發光二極管顯示面板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710469604.4 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN109103214B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 吳長晏;宋泳錫;宋文峰;李偉;林俊儀 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光二極管顯示面板,包括:
襯底基板;
發光層,設置在所述襯底基板上,所述發光層的發射光譜的主峰峰值的10% - 15%處的光譜寬度不小于200 nm,且所述發射光譜的黃光至綠光波段包括至少一個位于550 nm -562 nm之間的波峰,
其中,所述有機發光二極管顯示面板還包括:
濾光層,設置在所述發光層遠離所述襯底基板的一側,所述濾光層包括至少三種顏色的濾光單元,
其中,一種顏色的所述濾光單元被配置為僅透過波長大于580 nm的光線,且波長為595nm的光線的透過率大于50%;
所述發射光譜的黃光至綠光波段僅包括一個位于550 nm - 562 nm之間的波峰,所述位于550 nm - 562 nm之間的波峰為第一波峰;
所述主峰為第二波峰,所述第二波峰的峰值波長不大于456 nm。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述發射光譜包括至少三個波峰。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述第一波峰與所述第二波峰之間的波谷的谷值位于所述主峰峰值的15% - 30%之間。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述發射光譜的紅光波段包括第三波峰,所述第三波峰的峰值波長位于610 nm - 624 nm之間。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述第一波峰的峰值與所述第三波峰的峰值的比例大于1.5:1,且所述第三波峰的峰值波長與所述第一波峰的峰值波長的波長差小于70 nm。
6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述發光層在垂直于所述襯底基板的方向上包括三個疊層。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述三個疊層包括第一藍色發光層、紅色和綠色發光層以及第二藍色發光層。
8.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板,其中,所述有機發光二極管顯示面板包括紅色像素、綠色像素、藍色像素以及白色像素,所述至少三種顏色的濾光單元包括紅色濾光單元、綠色濾光單元和藍色濾光單元,分別設置于所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素內。
9.一種顯示裝置,包括權利要求1-8任一項所述的有機發光二極管顯示面板。
10.一種有機發光二極管顯示面板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成發光層,其中,所述發光層的發射光譜的主峰峰值的10% - 15%處的光譜寬度不小于200 nm,且所述發射光譜的黃光至綠光波段包括至少一個位于550 nm -562 nm之間的波峰,
其中,所述有機發光二極管顯示面板的制作方法,還包括:
在所述發光層遠離所述襯底基板的一側形成濾光層,所述濾光層包括至少三種顏色的濾光單元,
其中,一種顏色的所述濾光單元被配置為僅透過波長大于580 nm的光線,且波長為595nm的所述光線的透過率大于50%;
所述發射光譜的黃光至綠光波段僅包括一個位于550 nm - 562 nm之間的波峰,所述位于550 nm - 562 nm之間的波峰為第一波峰;
所述主峰為第二波峰,所述第二波峰的峰值波長不大于456 nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710469604.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





