[發(fā)明專利]多頻率的壓電超聲發(fā)生器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710468686.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-06-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107413612A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王德波;李江南;張煥卿 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B06B1/06 | 分類號(hào)： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200 | 代理人： | 劉莎 |
| 地址： | 210023 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 頻率 壓電 超聲 發(fā)生器 及其 制備 方法 | ||
1.多頻率的壓電超聲發(fā)生器，其特征在于，該壓電超聲發(fā)生器以硅為襯底，在硅襯底上設(shè)有MEMS懸臂梁下拉電極和MEMS懸臂梁橋墩；所述MEMS懸臂梁橋墩上設(shè)有MEMS懸臂梁陣列，所述MEMS懸臂梁陣列中的每個(gè)MEMS懸臂梁的一端固定在MEMS懸臂梁橋墩上，另一端為自由端；每個(gè)MEMS懸臂梁下方分別設(shè)置一個(gè)MEMS懸臂梁下拉電極，每個(gè)MEMS懸臂梁下拉電極上設(shè)置有壓電材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器，其特征在于，MEMS懸臂梁陣列中的每個(gè)MEMS懸臂梁長度均不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器，其特征在于，MEMS懸臂梁陣列中的MEMS懸臂梁數(shù)目為5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器，其特征在于，所述硅襯底為高阻硅SOI襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器，其特征在于，壓電材料為ZnO。
6.多頻率的壓電超聲發(fā)生器的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下具體步驟：
（1）準(zhǔn)備硅襯底；
（2）去除在MEMS懸臂梁下拉電極、MEMS懸臂梁橋墩處的光刻膠；
（3）濺射金，形成MEMS懸臂梁下拉電極和MEMS懸臂梁橋墩；
（4）用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法工藝在MEMS懸臂梁下拉電極上生長壓電材料層；
（5）在硅襯底上涂覆聚酰亞胺犧牲層，光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留懸臂梁下的犧牲層；
（6）電鍍金，形成MEMS懸臂梁陣列；
（7）用顯影液釋放每個(gè)MEMS懸臂梁下方的聚酰亞胺犧牲層，并用無水乙醇脫水，形成懸浮的MEMS懸臂梁陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器的制備方法，其特征在于，步驟（1）中硅襯底為高阻硅SOI襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器的制備方法，其特征在于，步驟（3）中濺射金的厚度為0.5μm，步驟（4）中壓電材料層的厚度為1μm，步驟（5）中聚酰亞胺犧牲層的厚度為1μm，步驟（6）中電鍍金的厚度為1μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器的制備方法，其特征在于，步驟（6）中MEMS懸臂梁陣列中的每個(gè)MEMS懸臂梁長度均不相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多頻率的壓電超聲發(fā)生器的制備方法，其特征在于，步驟（4）中壓電材料為ZnO。
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