[發明專利]一種甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽能電池的制作方法有效
| 申請號: | 201710468541.0 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN107359246B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 郝玉英;李仕奇;劉紅利;孫欽軍;李戰峰;崔艷霞 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 030024 山西*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 甲胺鉛碘鈣鈦礦 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽能電池的制作方法,其特征在于:以沉積有一層均勻的厚度為100 nm的銦錫氧化物ITO薄膜的玻璃基底作為電池的陽極,在ITO薄膜上再沉積一層厚度為20-30 nm的聚(3, 4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層,在PEDOT:PSS薄膜上再沉積一層光敏層,在光敏層上再沉積一層厚度為40-50 nm 的[6,6]-苯基C60-丁酸甲酯PC60BM作為電子傳輸層,然后在電子傳輸層上面再沉積一層厚度為1-5 nm 的[4,7]-二苯基-[1,10]-菲啰啉Bphen作為界面修飾層,最后通過真空熱蒸鍍在界面修飾層上蒸鍍一層厚度為100 nm的連續的鋁膜或銀膜作為電池的陰極;光敏層為甲胺鉛碘鈣鈦礦薄膜,甲胺鉛碘鈣鈦礦薄膜是通過旋涂工藝、滴加反溶劑清洗工藝并結合溶劑退火工藝制成的,旋涂工藝是指把甲胺鉛碘鈣鈦礦CH3NH3PbI3前驅液旋涂到PEDOT:PSS薄膜上的過程,反溶劑清洗工藝是在旋涂CH3NH3PbI3甲胺鉛碘鈣鈦礦前驅液過程中,通過滴加反溶劑戊醇促使鈣鈦礦快速結晶并析出的過程,反溶劑戊醇為仲戊醇或叔戊醇,開始旋涂CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜后7-11 s時將反溶劑戊醇直接滴加CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜上清洗一次,反溶劑戊醇用量200-600μL。
2.根據權利要求1所述的一種甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽能電池的 制作方法,其特征在于:溶劑退火工藝是指首先采用短暫退火然后采用溶劑輔助退火,短暫退火是將反溶劑清洗后的薄膜置于65 ℃的加熱臺上加熱10-30s,溶劑輔助退火是在大氣環境中營造小區域的DMSO氣氛環境并將短暫退火后的薄膜置于該區域內在100℃溫度持續加熱20 min。
3.根據權利要求1所述的一種甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽能電池的 制作方法,其特征在于:甲胺鉛碘鈣鈦礦CH3NH3PbI3前驅液是把甲基碘化胺CH3NH3I和碘化鉛PbI2共同溶于N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亞砜DMSO混合溶劑中而形成的一種金黃色的溶液,甲基碘化胺CH3NH3I和碘化鉛PbI2的摩爾比為1.05:1,N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亞砜DMSO的體積比為9:1,甲基碘化胺CH3NH3I在N,N-二甲基甲酰胺DMF和二甲基亞砜DMSO混合溶劑中的摩爾濃度為2.1 mol/L。
4.根據權利要求1所述的一種甲胺鉛碘鈣鈦礦太陽能電池的 制作方法,其特征在于:空穴傳輸層的制作過程為,將購得的PEDOT:PSS與去離子水按照體積比3:2進行稀釋,然后采用溶液旋涂法成膜后在空氣中熱處理制得,旋涂速率為4000rpm,旋涂時間為30-40 s,熱處理溫度為150 °C,加熱時間為10-15 min。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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