[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu)及反應(yīng)腔室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710465809.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109148251B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃亞輝;李一成;韋剛;高志民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/32 | 分類號(hào): | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 電極 機(jī)構(gòu) | ||
1.一種反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),包括用于承載被加工工件的基座,其特征在于,還包括采用絕緣材料制作的轉(zhuǎn)接盤(pán),所述轉(zhuǎn)接盤(pán)設(shè)置在所述基座的底部,且在所述轉(zhuǎn)接盤(pán)中設(shè)置有多條走線通道,多條所述走線通道的輸入端匯聚至所述轉(zhuǎn)接盤(pán)的底面中心位置處,多條所述走線通道的輸出端分散布置在所述轉(zhuǎn)接盤(pán)的頂面,且與所述基座中的不同功能的導(dǎo)電部件接口的位置一一對(duì)應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述轉(zhuǎn)接盤(pán)包括盤(pán)狀本體,所述盤(pán)狀本體具有貫穿其厚度的第一中心孔,且在所述盤(pán)狀本體的底面形成有呈輻射狀分散延伸的多條凹道,多條所述凹道的一端匯聚至所述第一中心孔;另一端與所述基座中的不同功能的導(dǎo)電部件接口的位置一一對(duì)應(yīng);
在所述盤(pán)狀本體中還設(shè)置有多個(gè)第一豎直通孔,各個(gè)所述第一豎直通孔的下端一一對(duì)應(yīng)地與各條所述凹道的另一端連通,各個(gè)所述第一豎直通孔的上端位于所述盤(pán)狀本體的頂面;所述第一中心孔、所述凹道和所述第一豎直通孔構(gòu)成所述走線通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述盤(pán)狀本體為多個(gè),且沿豎直方向依次對(duì)接,并且多個(gè)所述盤(pán)狀本體的所述第一中心孔同軸;
不同的所述盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔對(duì)應(yīng)不同的所述基座中的具有不同功能的導(dǎo)電部件接口的位置,并且在位于任意一個(gè)所述盤(pán)狀本體上方的其他盤(pán)狀本體中均設(shè)置有與該盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔一一對(duì)應(yīng)且連通的第二豎直通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述盤(pán)狀本體為兩個(gè),分別為第一盤(pán)狀本體和設(shè)置在其底部的第二盤(pán)狀本體,其中,
所述第一盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔對(duì)應(yīng)所述基座中的直流導(dǎo)電部件接口;
所述第二盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔對(duì)應(yīng)所述基座中的交流導(dǎo)電部件接口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述第一盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔靠近所述基座的中心,所述第二盤(pán)狀本體中的所述第一豎直通孔靠近所述基座的邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述不同功能的導(dǎo)電部件包括射頻導(dǎo)電部件、多條直流導(dǎo)線和多條交流導(dǎo)線,其中,
所述射頻導(dǎo)電部件依次穿過(guò)所述第二盤(pán)狀本體和所述第一盤(pán)狀本體的所述第一中心孔與所述基座電連接;
多條所述直流導(dǎo)線依次穿過(guò)所述第二盤(pán)狀本體和所述第一盤(pán)狀本體的所述第一中心孔,所述第一盤(pán)狀本體的所述走線通道,與所述基座中的所述直流導(dǎo)電部件接口電連接;
多條所述交流導(dǎo)線依次穿過(guò)所述第二盤(pán)狀本體的所述第一中心孔,所述第二盤(pán)狀本體的所述走線通道,與所述基座中的所述交流導(dǎo)電部件接口電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述轉(zhuǎn)接盤(pán)還包括絕緣底盤(pán),所述絕緣底盤(pán)設(shè)置在所述第二盤(pán)狀本體的底部,并且,在所述絕緣底盤(pán)中設(shè)置有與所述第一中心孔同軸的第二中心孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,在所述轉(zhuǎn)接盤(pán)的頂面上設(shè)置有用于連接不同功能的導(dǎo)電部件的多個(gè)輸入插頭,多個(gè)所述輸入插頭與各條所述走線通道的輸出端一一對(duì)應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2-7任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室的下電極機(jī)構(gòu),其特征在于,所述下電極機(jī)構(gòu)還包括設(shè)置在所述第一中心孔中的集總插頭,所述集總插頭包括第一射頻導(dǎo)管和設(shè)置在所述第一射頻導(dǎo)管中的第一絕緣件,其中,
所述第一射頻導(dǎo)管通過(guò)所述第一中心孔與所述基座中的射頻導(dǎo)電部件接口連接,并且在所述第一射頻導(dǎo)管的外周壁上設(shè)置有環(huán)繞所述外周壁的徑向通孔,所述徑向通孔的高度與所述凹道的高度一致;
在所述第一絕緣件中設(shè)置有沿所述第一射頻導(dǎo)管延伸的多條第一導(dǎo)電通道,多條所述第一導(dǎo)電通道的輸出端一一對(duì)應(yīng)地與所述徑向通孔連通;在所述第一導(dǎo)電通道中設(shè)置有導(dǎo)電接線,所述導(dǎo)電接線自所述第一絕緣件的下端依次經(jīng)由所述第一導(dǎo)電通道、所述徑向通孔和所述走線通道延伸至所述基座的底部,并與所述基座中的導(dǎo)電部件接口連接。
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