[發(fā)明專利]晶界擴散釹鐵硼磁體的界面調控方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710464873.1 | 申請日： | 2017-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN107275028B | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馮海波;趙揚;李安華;譚敏;李衛(wèi) | 申請（專利權）人： | 鋼鐵研究總院 |
| 主分類號： | H01F1/057 | 分類號： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京華誼知識產權代理有限公司 11207 | 代理人： | 劉月娥 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 擴散 釹鐵硼 磁體 界面 調控 方法 | ||
1.一種界面調控調節(jié)釹鐵硼磁性能的方法，其特征在于：具體工藝步驟及控制的技術參數如下：
(1)、該釹鐵硼磁體的化學成分按質量百分表示比為：
(Nd,RE)aFe99-a-bB0.94-1.05TMb，其中28≤a≤33，0≤b≤10，TM為Co、Al、Cu、Ga、Nb、Mo、Ti、Zr、V中的一種或幾種，磁體通過燒結、熱壓或者粘結的方式制備；晶界擴散處理時，預先在磁體表面制備含有稀土、稀土合金或稀土化合物的涂層，涂層成分為RExNR100-x，其中，0≤x≤100，RE選自稀土元素La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一種或幾種，NR為Co、Fe、Al、Cu、Ga、Nb、Ni、Ti、Zr、V、Nb、F、O、H中的一種或幾種；
(2)、磁體晶界擴散處理時，升溫至600-975℃并保溫4-24小時，使涂層中的稀土、稀土合金或稀土化合物擴散進入磁體內部；
(3)、在晶界擴散處理后進行界面調控處理，調節(jié)磁體的磁性能：在550-950℃區(qū)間，根據磁體成分另選擇一個低于晶界擴散處理所用溫度20-100℃的溫度，然后根據需要選擇是否進行二級回火處理，具體根據磁體成分工藝選擇在400-600℃回火1-10小時。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)中，通過真空蒸鍍、濺射、沉積、電泳、浸漬或涂刷在待擴散磁體表面制備一層RExNR100-x涂層。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(2)中可根據需要選擇是否進行一次二級回火，回火溫度400-600℃，時間1-12小時。
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