[發明專利]一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法

在審

• 申請號: 201710464738.7
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107125137A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 孔利文;楊志良;趙思源;伍超
• 申請（專利權）人: 四川森迪科技發展股份有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)外植體的選擇和處理：在春季，選取1年生半木質化枝條，將所述枝條消毒后，將其修剪成至少帶1個腋芽、長度為1－2cm的外植體；

2)初代培養：將步驟1所得的外植體放置于誘導培養基中進行初代培養，直接誘導培養產生叢芽；

3)繼代培養：步驟2產生的叢芽生長至1.8－2.4cm時，將其放置于繼代增殖培養基中進行增殖培養；

4)生根培養：步驟3所述的增殖培養30－40天后，切割叢芽放置于生根培養基進行生根培養；

5)練苗：將步驟4生根培養后的組培苗從培養室取出，將培養瓶移到室外遮陰蓬或溫室中進行練苗；

6)移栽：經練苗后的生根芽苗移栽至育苗盤中。

2.根據權利要求1所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步驟2中誘導培養基為MS固體培養基添加1.0－1.5mg/L的6-BA、0.3－0.8mg/L的NAA和0.8－1.2mg/L的2，4-二氯苯氧乙酸；培養條件為：溫度26－29℃，相對濕度80－90％，光照時間8－10小時/天，光照強度3500－5500Lx。

3.根據權利要求2所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法，其特征在于：所述繼代增殖培養基為MS固體培養基添加0.2－0.4mg/L的6-BA、0.2－0.4mg/L的NAA，所述繼代增殖培養基中KNO₃、NH₄NO₃、CaCl₂的含量分別為正常MS的1.2－1.6倍、1.3－1.5倍、0.8－0.9倍；培養條件為：溫度26－29℃，相對濕度80－90％，光照時間8－10小時/天，光照強度3500－5500Lx。

4.根據權利要求3所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法，其特征在于：所述生根培養基為MS固體培養基添加0.2－0.3mg/L的6-BA、0.1－0.2mg/L的NAA，0.4－0.6mg/L的2，4-二氯苯氧乙酸、10－25g/L的果糖；培養條件為溫度26－29℃，相對濕度80－90％，光照時間8－10小時/天，光照強度3500－5500Lx。

5.根據權利要求4所述的一種毛葉山桐子樹苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步驟5中的練苗為強光閉瓶練苗15－20天左右，遮陰度宜為60％－80％，然后打開瓶口，再放置5－8天。