[發(fā)明專利]一種半導體芯片用鎳銀腐蝕液

在審

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• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN107286939A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戈燁銘
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰潤瑪電子材料股份有限公司
• 主分類號: C09K13/06
• 分類號: C09K13/06
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙)32210
• 代理人: 曾丹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體芯片用鎳銀腐蝕液，屬于微電子化學試劑技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

超凈高純試劑（Ultra-clean and High-purity Reagents）在國際上稱為工藝化學品（Process Chemicals），是集成電路（IC）以及超大規(guī)模集成電路（VLSI）制作過程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蝕。超凈高純試劑的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性均有十分重要的影響。

半導體晶體硅材質(zhì)上連續(xù)鍍上鎳層、銀層后，再在銀層涂覆一定規(guī)格與大小的光刻膠進行保護，而光刻膠與光刻膠之間形成的凹槽鍍層需使用專用的腐蝕液進行腐蝕、清除，以達到客戶要求，再制成半導體芯片。

現(xiàn)有腐蝕液在腐蝕后存在生成物不易清洗，這有可能導致線路微短路、漏電等工藝不良的風險。

本發(fā)明通過對腐蝕反應(yīng)生成物分散、絡(luò)合等手法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗，從而導致線路微短路、漏電等工藝不良風險，不易清洗，需要大量水才能清洗干凈的問題。達到節(jié)水環(huán)保，提高產(chǎn)品品質(zhì)的目的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種半導體芯片用鎳銀腐蝕液，能夠高效去除芯片中的鎳和銀金屬，同時對其生成物通過分散、絡(luò)合等手法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗，從而導致線路微短路、漏電等工藝不良風險，不易清洗，需要大量水才能清洗干凈的問題。

本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種半導體芯片用鎳銀腐蝕液，包括如下質(zhì)量百分比的成分

醋酸溶液40～65%，

硝酸溶液10～35%，

表面活性劑1～5%，

分散劑1～5%，

絡(luò)合劑1～5%，

余量為純水。

優(yōu)選地，醋酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為90～99.8%、硝酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為60～67%。

優(yōu)選地，表面活性劑采用非離子型表面活性劑和陰離子型表面活性劑復(fù)配混合物。

其中，非離子表面活性劑選自脂肪酸甲酯乙氧基化物FMEE。FMEE相比AEO（脂肪醇聚氧乙烯醚）系列，具有低泡沫、高濁點，冷水不宜凝膠，溶解迅速，特別是冬季不出現(xiàn)凝固，使用方便，且具有很好的潤濕分散性能。陰離子表面活性劑為烷基磺酸鈉、烷基芳基磺酸鈉、烷基硫酸鈉、仲烷基硫酸鈉中的一種或幾種。其作用在于有更強的潤濕性能，腐蝕之后易清洗。

優(yōu)選地，分散劑為硬脂酰胺與高級醇、己烯基雙硬脂酰胺、乙撐基雙硬脂酰胺（EBS）、硬脂酸單甘油酯（GMS），三硬脂酸甘油酯（HTG）。

優(yōu)選地，絡(luò)合劑為磷酸鹽類如三聚磷酸鈉、焦磷酸鈉、六偏磷酸鈉、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨三乙酸鈉、乙二胺四乙酸鹽、二乙烯三胺五羧酸鹽、酒石酸、庚糖酸鹽、葡萄糖酸鈉、海藻酸鈉。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：該鎳銀腐蝕液具有潤濕性能高，穩(wěn)定性高，使用壽命長，腐蝕鎳、銀金屬效果好；在進行有效腐蝕鎳、銀金屬的同時，亦不會對半導體芯片的基材造成腐蝕。同時對其生成物通過分散、絡(luò)合等方法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗從而導致線路微短路，清洗需要大量水的問題。

具體實施方式

以下結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1

半導體芯片用鎳銀腐蝕液成分與重量百分比分別為：

醋酸65%，

硝酸35%，

表面活性劑5%，

分散劑1%，

絡(luò)合劑1%，

余量為純水。

其中，鎳銀腐蝕液質(zhì)量百分比為醋酸90%、硝酸的質(zhì)量百分比濃度為60%。其中選取脂肪酸甲酯乙氧基化物（FMEE）作為非離子型表面活性劑，選取烷基磺酸鈉、烷基芳基磺酸鈉按2:1的質(zhì)量比例配置的混合物作用陰離子型表面活性劑。分散劑為硬脂酰胺與高級醇。絡(luò)合劑選自三聚磷酸鈉、六偏磷酸鈉、二乙醇胺。

實施例2

半導體芯片用鎳銀腐蝕液成分與重量百分比分別為：

醋酸40%，

硝酸10%，

表面活性劑1%，

分散劑5%，

絡(luò)合劑5%，

余量為純水。