[發明專利]量子點與無機納米粒子交聯的薄膜及其制備方法、應用

有效

• 申請號: 201710464627.6
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148700B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了量子點與無機納米粒子交聯的薄膜及其制備方法、應用，所述制備方法包括步驟：將量子點與表面含有機配體的無機納米粒子混合于溶劑中，得到混合液；通過溶液法將混合液制成混合薄膜；通過HHIC技術對混合薄膜進行交聯處理，使得量子點與無機納米粒子之間發生交聯，得到量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜。本發明利用HHIC技術使得混合薄膜中獨立的量子點與無機納米粒子交聯在一起，不會改變非交聯基團的性質，且不會產生副產物。此外，HHIC方法相比于其他方法不會影響或較小影響量子點的性質，經過HHIC方法交聯的薄膜在穩定性上優于傳統加熱交聯的薄膜。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及量子點與無機納米粒子交聯的薄膜及其制備方法、應用。

背景技術

膠體（Colloid）量子點是基于液相分布的了納米材料體系。膠體量子點通過不同的制備工藝（旋涂、打印、轉印或涂布等），制備量子點多層或單層薄膜。由于膠體量子點體系中，量子點分散在溶劑中，成膜后溶劑揮發，形成只有量子點堆積的固體薄膜。量子點之間以微弱的范德華力鏈接，在外界作用下（機械力，溶劑等），薄膜形態不能保持，因此膠體量子點的應用受到很大限制。例如，在量子點發光二極管（QLED）的制備過程中，由于量子點無法交聯，可能被量子點層上的制備過程用的溶劑沖走，因此限制了QLED的制備工藝和材料選擇，從而制約了QLED的性質和應用。

目前量子點交聯的解決方案主要運用化學方法，即在量子點制備過程中添加化學交聯基團，成膜后通過熱處理或者光處理，使交聯基團反應，從而交聯量子點。此方法的問題是交聯基團通常是化學活性很強的基團，他們的存在能夠影響量子點的性質，如發光效率，電子遷移率等。其次在交聯過程中產生副產物，這些副產物作為雜質很難從量子點層中去除。因此化學交聯并不是一種普遍的交聯方案。

另一種常用的交聯方法是通過加熱交聯。此方法的問題是加熱可能破壞交聯物質的性質，特別是一些官能團在高溫下發生化學反應。液相前驅體可能存在分相問題。特別是量子點和有機物，由于他們的表面能不同，加熱后薄膜的空間物理分布可能不均勻。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供量子點與無機納米粒子交聯的薄膜及其制備方法、應用，旨在解決現有含有量子點與無機納米粒子的混合薄膜中，量子點與無機納米粒子之間不易發生交聯的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜的制備方法，其中，包括：

步驟A、將量子點與表面含有機配體的無機納米粒子混合于溶劑中，得到混合液；

步驟B、通過溶液法將混合液制成混合薄膜；

步驟C、通過HHIC技術對混合薄膜進行交聯處理，使得量子點與無機納米粒子之間發生交聯，得到量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜。

一種量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述步驟A中，所述無機納米粒子為MoO_x、WO、NiO、ZnO、TiO中的一種或多種。

一種量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述步驟A中，所述溶劑為甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、正辛烷、異辛烷、環己烷、正己烷、正戊烷、異戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚、乙醇、辛硫醇、乙醇胺中的一種或多種。

一種量子點與無機納米粒子交聯的混合薄膜的制備方法，其中，所述有機配體為辛硫醇、乙醇胺中的一種或多種。