[發(fā)明專利]氣體混合裝置和基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710464610.0 | 申請日: | 2017-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN107523805B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山下潤 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 混合 裝置 處理 | ||
1.一種氣體混合裝置,用于對多種氣體進行混合,該氣體混合裝置的特征在于,具備:
圓筒部,其上表面被封閉;
氣體流出路徑,其在所述圓筒部的底面的中央部開口并向下方延伸;
多個氣體流導(dǎo)向壁,該多個氣體流導(dǎo)向壁沿著所述氣體流出路徑中的靠所述底面的開口緣以在周向上彼此隔著間隔的方式配置并且設(shè)置為相對于所述圓筒部的中心呈旋轉(zhuǎn)對稱,并朝向所述上表面突出;以及
氣體流入部,其設(shè)置在所述氣體流導(dǎo)向壁與圓筒部的內(nèi)周面之間,供要進行混合的氣體流入,
其中,在所述圓筒部的周向上以順時針和逆時針中的一方觀察時,當(dāng)將朝向該一方的方向的一側(cè)定義為前方時,所述氣體流導(dǎo)向壁隨著趨向前方側(cè)而向靠所述圓筒部的中心部的位置屈曲,使得將流入到圓筒部的內(nèi)周面與氣體流導(dǎo)向壁之間的氣體沿著該氣體流導(dǎo)向壁的外周面導(dǎo)向到所述氣體流出路徑,由此形成渦流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流導(dǎo)向壁的外周面的圓弧形狀被形成為在俯視時與所述圓筒部的內(nèi)周面的圓弧形狀相比是小徑的圓弧形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流入部構(gòu)成為氣體流入位置與氣體流導(dǎo)向壁的前后方向的中央相比靠后方側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流入部構(gòu)成為,氣體在所述圓筒部內(nèi)從上表面?zhèn)攘魅胨鰵怏w流入部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流導(dǎo)向壁的內(nèi)周面形成有傾斜面,該傾斜面以隨著趨向下方而接近圓筒部的中心部的方式傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流出路徑以隨著從開口部趨向下方而接近圓筒部的中心部的方式傾斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
在彼此相鄰的氣體流導(dǎo)向壁中,前方側(cè)的氣體流導(dǎo)向壁的靠后端的內(nèi)周面與后方側(cè)的氣體流導(dǎo)向壁的靠前端的外周面相對,由該內(nèi)周面與外周面夾著的空間構(gòu)成為用于形成渦流的氣體流的導(dǎo)向路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流導(dǎo)向壁的前端側(cè)的內(nèi)周面為傾斜面,所述氣體流導(dǎo)向壁的后端側(cè)的內(nèi)周面比所述前端側(cè)的內(nèi)周面直立。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
所述氣體流導(dǎo)向壁的配置數(shù)量為兩個或三個。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氣體混合裝置,其特征在于,
按各氣體流導(dǎo)向壁設(shè)置所述氣體流入部。
11.一種基板處理裝置,其特征在于,具備
氣體混合裝置,彼此不同的處理氣體從彼此不同的位置流入到所述氣體混合裝置中,所述氣體混合裝置對這些處理氣體進行混合;
處理容器,其被供給由所述氣體混合裝置混合后的處理氣體;
載置部,其設(shè)置在所述處理容器內(nèi),用于載置被所述處理氣體進行處理的基板;以及
排氣部,其對所述處理容器內(nèi)進行真空排氣,
其中,所述氣體混合裝置是根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的氣體混合裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





