[發明專利]量子點與載體交聯的混合薄膜及制備方法與QLED器件

有效

• 申請號: 201710464477.9
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN109148698B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 向超宇;錢磊;曹蔚然;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、將量子點與載體混合于溶劑中，得到混合液；

步驟B、通過溶液法將混合液制成含量子點與載體的混合薄膜；

步驟C、在混合薄膜完全干燥前，進行抽真空處理；在抽真空過程中進行HHIC處理以固定量子點與載體的相對位置，得到量子點與載體交聯的混合薄膜。

2.根據權利要求1所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述載體為聚合物和小分子中的一種或兩種。

3.根據權利要求2所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述聚合物為第一p型半導體材料、第一n型半導體材料、第一絕緣體材料、第一發光材料中的一種或多種；所述小分子為第二p型半導體材料、第二n型半導體材料、第二絕緣體材料、第二發光材料中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一p型半導體材料為PVK、TFB、poly-TPD、P3HT中的一種或多種，所述第一n型半導體材料為OXD-7，所述第一絕緣體材料為PMMA、PVP、PEN、PET中的一種或多種，所述第一發光材料為MEH-PPV。

5.根據權利要求3所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二p型半導體材料為NPB、CBP、TCTA中的一種或多種，所述第二n型半導體材料為Bphen、Alq、Liq中的一種或多種，所述第二絕緣體材料為UGH1，所述第二發光材料為Irppy3、Firpic中的一種或兩種。

6.根據權利要求1所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述溶劑為甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、正辛烷、異辛烷、環己烷、正己烷、正戊烷、異戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟C具體包括：在混合薄膜完全干燥前，進行抽真空處理；在抽真空過程中進行HHIC處理，通入H₂，并使H₂轉變成H等離子，通過H等離子對含量子點與載體的混合薄膜進行交聯處理，得到量子點與載體交聯的混合薄膜。

8.根據權利要求7所述的量子點與載體交聯的混合薄膜的制備方法，其特征在于，所述H等離子的能量為1～100eV，所述交聯處理的時間為0.5～30min。

9.一種量子點與載體交聯的混合薄膜，其特征在于，所述量子點與載體交聯的混合薄膜采用如權利要求1～8任一所述的制備方法制備而成；所述混合薄膜中量子點與載體均勻分布。

10.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括如權利要求9所述的量子點與載體交聯的混合薄膜。